IRF530NS
Код товару: 117672
Виробник: Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності 10 шт:
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF530NS за ціною від 49.42 грн до 49.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF530NS | Виробник : International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF530NS | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF530NS | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
товар відсутній |