на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 190+ | 64.23 грн |
| 197+ | 61.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF530PBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRF530PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IRF530 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRF530PBF-BE3 за ціною від 43.37 грн до 124.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF530PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF530PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET |
на замовлення 10962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF530PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF530PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF530 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF530PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |