на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 18.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF530PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF530PBF за ціною від 16.23 грн до 113.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF530PBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2816 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm |
на замовлення 472 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF530PBF |
IRF530PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |