Продукція > VISHAY > IRF530PBF
IRF530PBF

IRF530PBF Vishay

91019.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF530PBF за ціною від 26.89 грн до 182.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+45.64 грн
282+45.18 грн
285+44.73 грн
500+42.50 грн
1000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.00 грн
50+48.51 грн
100+48.03 грн
500+45.62 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : VISHAY IRF530PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.61 грн
12+37.36 грн
13+34.43 грн
50+29.65 грн
100+28.48 грн
500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : VISHAY IRF530PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
7+46.56 грн
10+41.31 грн
50+35.58 грн
100+34.18 грн
500+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+61.22 грн
211+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+65.60 грн
50+64.94 грн
100+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay Semiconductors irf530.pdf MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.32 грн
10+63.72 грн
100+49.94 грн
500+43.42 грн
1000+40.61 грн
2000+38.28 грн
5000+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019267799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.54 грн
16+59.09 грн
100+57.82 грн
500+51.60 грн
1000+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.67 грн
50+86.03 грн
100+77.26 грн
500+58.10 грн
1000+53.46 грн
2000+49.57 грн
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF irf530.pdf IRF530PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Виробник : Vishay irf530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.