Продукція > VISHAY > IRF530PBF
IRF530PBF

IRF530PBF Vishay

irf530.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.56 грн
221+64.12 грн
250+59.46 грн
500+54.02 грн
1000+47.04 грн
2000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF530PBF за ціною від 32.41 грн до 96.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.85 грн
10+49.38 грн
50+44.29 грн
100+42.00 грн
250+38.94 грн
500+36.74 грн
1000+34.53 грн
2000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay Semiconductors irf530.pdf description MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF irf530.pdf description IRF530PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description IRF530PBF.pdf
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.85 грн
10+49.38 грн
50+44.29 грн
100+42.00 грн
250+38.94 грн
500+36.74 грн
1000+34.53 грн
2000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.