IRF530SPBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 143.92 грн |
| 10+ | 88.25 грн |
| 50+ | 70.60 грн |
| 100+ | 65.56 грн |
| 250+ | 60.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF530SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 88W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Інші пропозиції IRF530SPBF за ціною від 48.67 грн до 231.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF530SPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF530SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF530SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 88W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF530SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF530SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 160.08 грн |
| 110+ | 129.65 грн |
| 118+ | 120.39 грн |
| 250+ | 107.16 грн |
| IRF530SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.33 грн |
| 10+ | 91.54 грн |
| 100+ | 71.22 грн |
| 500+ | 60.68 грн |
| 1000+ | 53.42 грн |
| 2000+ | 48.67 грн |
| IRF530SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.36 грн |
| 10+ | 109.98 грн |
| 100+ | 92.06 грн |
| IRF530SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)