IRF540PBF
Код товару: 22634
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF540PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 1547 шт
1522 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ 9 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
25 шт
25 шт - очікується
|
|
Інші пропозиції IRF540PBF за ціною від 49.90 грн до 58.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540PBF Код товару: 182036
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 188 шт
128 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
| IRF540PBF |
IRF540PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF540PBF |
IRF540PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IRF540PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF540PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IRF540PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF540PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF540PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF540PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A |
товару немає в наявності |