IRF540PBF

IRF540PBF Siliconix


IRF540PBF-datasheet.pdf
Код товару: 182036
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Монтаж: THT
у наявності 194 шт:

128 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF540PBF Siliconix

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1673 шт
1618 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF540PBF за ціною від 17.90 грн до 22.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF540PBF irf540.pdf IRF540PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf IRF540PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF Виробник : Vishay Siliconix irf540.pdf N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 22634
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf540.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+22.50 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019267797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Виробник : Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Виробник : Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Виробник : Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Виробник : Vishay Semiconductors irf540.pdf MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Виробник : VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 72nC
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100 kOhm 5% 0,25W вив. (S)
Код товару: 13812
Додати до обраних Обраний товар

uni-ohm-carbon film resistors.pdf
100 kOhm 5% 0,25W вив. (S)
Виробник: Uni Ohm
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 57184 шт
51070 шт - склад
155 шт - РАДІОМАГ-Київ
584 шт - РАДІОМАГ-Львів
3290 шт - РАДІОМАГ-Харків
2085 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
40+0.60 грн
100+0.45 грн
1000+0.30 грн
10000+0.10 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 10.05.2026
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
3,9 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-3K9R-Hitano) (S)
Код товару: 13776
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
3,9 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-3K9R-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 3,9 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8932 шт
7245 шт - склад
370 шт - РАДІОМАГ-Київ
207 шт - РАДІОМАГ-Львів
1110 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 4395 шт
2246 шт - склад
990 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
961 шт - РАДІОМАГ-Харків
140 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 50V Y5P K(+/-10%) D<=5mm (HB1H102K-L515B)
Код товару: 6360
Додати до обраних Обраний товар

Y1_cap_081111.pdf
1nF 50V Y5P K(+/-10%) D<=5mm (HB1H102K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: HB1H102K-L515B
у наявності: 4271 шт
1770 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
108 шт - РАДІОМАГ-Львів
999 шт - РАДІОМАГ-Харків
1345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.50 грн
1000+0.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.