Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF540SPBF SILI

IRF540SPBF SILI

sihf540s-datasheet.pdf
Код товару: 123222
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: SILI
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF540SPBF за ціною від 85.62 грн до 256.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+161.09 грн
50+124.09 грн
100+105.24 грн
500+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay Semiconductors sihf540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY VISH-S-A0011155880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.29 грн
10+161.09 грн
50+124.09 грн
100+105.24 грн
500+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF VISH-S-A0011155880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.