IRF5852


irf5852.pdf
Код товару: 104324
Виробник: IR
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
Монтаж: SMD
у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF5852

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5852 IRF5852 Виробник : Infineon Technologies irf5852.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній