Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF5852

IRF5852

irf5852.pdf

Код товару: 104324

Виробник: IR
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
Монтаж: SMD

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Одеса

Кількість	Ціна
1+	10.00 грн
10+	8.00 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRF5852

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IRF5852	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.