Продукція > VISHAY > IRF610PBF-BE3
IRF610PBF-BE3

IRF610PBF-BE3 Vishay

irf610.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+70.91 грн
181+67.74 грн
250+65.02 грн
500+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF610PBF-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF610PBF-BE3 за ціною від 37.74 грн до 93.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
50+42.26 грн
100+41.39 грн
500+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix irf610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.69 грн
10+49.83 грн
100+38.48 грн
500+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001305004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
13+65.94 грн
25+62.06 грн
50+54.18 грн
100+46.83 грн
500+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Виробник : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.