| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.87 грн |
| 10+ | 49.47 грн |
| 100+ | 33.80 грн |
| 500+ | 26.60 грн |
| 1000+ | 23.32 грн |
| 2000+ | 20.53 грн |
| 5000+ | 18.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF610PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IRF610 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції IRF610PBF-BE3 за ціною від 28.82 грн до 143.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF-BE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF610 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF610PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 5505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF610PBF-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 92.87 грн |
| 17+ | 50.18 грн |
| 100+ | 39.43 грн |
| 500+ | 28.82 грн |
| IRF610PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.76 грн |
| 50+ | 67.19 грн |
| 100+ | 60.21 грн |
| 500+ | 45.00 грн |
| 1000+ | 41.30 грн |
| 2000+ | 38.19 грн |
| 5000+ | 34.48 грн |