IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRF610PBF (TO-220, IR) IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Код товару: 156293
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: THT |
у наявності: 36 шт
27 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
Інші пропозиції IRF610PBF (TO-220, IR) за ціною від 34.39 грн до 142.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 4087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF610PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |