Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF610PBF (TO-220, IR)
IRF610PBF (TO-220, IR)

IRF610PBF (TO-220, IR)

Код товару: 33443
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+10.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Аналог IRF610PBF (TO-220, IR) IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
1 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
  • 27 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
1 Додати до обраних Обраний товар
irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
  • 27 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF610PBF (TO-220, IR) за ціною від 35.69 грн до 140.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.93 грн
50+41.51 грн
100+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.86 грн
50+65.84 грн
100+58.99 грн
500+44.09 грн
1000+40.47 грн
2000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF Vishay/IR IRF610_Vishay_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+41.93 грн
50+41.51 грн
100+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.86 грн
50+65.84 грн
100+58.99 грн
500+44.09 грн
1000+40.47 грн
2000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF VISH-S-A0019270471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610_Vishay_IR.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.