IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRF610PBF (TO-220, IR) IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Код товару: 156293
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: THT |
у наявності: 36 шт
|
|
| IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Код товару: 156293
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
- 27 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
Інші пропозиції IRF610PBF (TO-220, IR) за ціною від 36.01 грн до 143.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF610PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF610PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 36W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF610PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 4087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF610PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF610PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF610PBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 42.31 грн |
| 50+ | 41.88 грн |
| 100+ | 36.01 грн |
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 96.94 грн |
| 12+ | 69.82 грн |
| 100+ | 47.49 грн |
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.76 грн |
| 50+ | 67.19 грн |
| 100+ | 60.21 грн |
| 500+ | 45.00 грн |
| 1000+ | 41.30 грн |
| 2000+ | 38.19 грн |
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,3 А, Ptot, Вт = 36, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25, Qg, нКл = 8,2 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 81.88 грн |







