IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
Виробник: SiliconixКорпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності 50 шт:
30 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF610PBF (TO-220, Siliconix) за ціною від 10.50 грн до 59.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 8075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 704 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF610PBF | Виробник : Vishay/IR |
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||
| IRF610PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||
|
IRF610PBF (TO-220, IR) Код товару: 33443
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IRF610PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF630NPBF Код товару: 15961
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
167 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
| LM339N Код товару: 3060
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: 2…28; tз, нс: 300; Тип виходу: ОК/ОЗ; Uсм, мВ: 20; Iпотр, мА: 0,8;
Udss,V: 2...28 V
Id,A: 0.016 A
Темп.діапазон: -40...+85°C
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: 2…28; tз, нс: 300; Тип виходу: ОК/ОЗ; Uсм, мВ: 20; Iпотр, мА: 0,8;
Udss,V: 2...28 V
Id,A: 0.016 A
Темп.діапазон: -40...+85°C
у наявності: 68 шт
26 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.50 грн |
| 100+ | 9.40 грн |
| BC557B Код товару: 1826
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 975 шт
919 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
53 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
53 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| BFP490 Код товару: 1820
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > ВЧ
Корпус: SCT-595
Частота: 17 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 4,5 V
Ucb, V: 15 V
Ic, A: 0,6 A
Транзистори > ВЧ
Корпус: SCT-595
Частота: 17 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 4,5 V
Ucb, V: 15 V
Ic, A: 0,6 A
у наявності: 238 шт
150 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.60 грн |
| 100+ | 10.90 грн |
| 1000+ | 9.40 грн |
| 10000+ | 3.40 грн |










