Продукція > VISHAY > IRF610SPBF
IRF610SPBF

IRF610SPBF VISHAY

VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.91 грн
500+ 54.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF610SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRF610SPBF за ціною від 46.59 грн до 112.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.81 грн
10+ 63.79 грн
25+ 63.16 грн
50+ 60.29 грн
100+ 52.6 грн
250+ 46.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+74.1 грн
171+ 68.7 грн
173+ 68.02 грн
174+ 64.93 грн
185+ 56.65 грн
250+ 50.17 грн
Мінімальне замовлення: 158
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.81 грн
10+ 85.22 грн
100+ 62.02 грн
250+ 58.75 грн
500+ 51.94 грн
1000+ 47.8 грн
2000+ 46.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+106.35 грн
10+ 84.63 грн
100+ 65.91 грн
500+ 54.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.66 грн
50+ 87.12 грн
100+ 71.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610SPBF IRF610SPBF Виробник : Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610SPBF Виробник : VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF Виробник : VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній