Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF610STRLPBF
IRF610STRLPBF

IRF610STRLPBF Vishay Siliconix

sih610s.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.29 грн
10+102.88 грн
100+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF610STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF610STRLPBF за ціною від 48.60 грн до 172.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.45 грн
10+109.85 грн
100+65.33 грн
500+49.16 грн
800+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Виробник : Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF Виробник : VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.