IRF614
Код товару: 7922
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 2,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 180/8,5
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF614 за ціною від 39.04 грн до 60.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF614 | Harris Corporation |
Description: ADVANCED POWER MOSFET Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRF614 | HARRIS |
IRF614 |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF614 |
|
Виробник: Harris Corporation
Description: ADVANCED POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Description: ADVANCED POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 695+ | 39.04 грн |