IRF614

IRF614 Harris Corporation


HRISSD97-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: ADVANCED POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
695+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 695
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF614 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF614

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF614 Виробник : IR irf614.pdf HRISSD97-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF614 IRF614
Код товару: 7922
Виробник : IR IRF614.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 250 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,5
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF614 IRF614 Виробник : Vishay Siliconix irf614.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF614 IRF614 Виробник : Vishay / Siliconix irf614.pdf HRISSD97-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET RECOMMENDED ALT IRF614PBF
товар відсутній