IRF614

IRF614

Код товара: 7922
Производитель: IR
Корпус: TO-263
Uds,V: 250 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,5
Монтаж: SMD

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание IRF614

Цена IRF614 от 0 грн до 0 грн

IRF614
IRF614
Производитель: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2Ohm @ 1.6A, 10V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 2.7A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); FET Type : N-Channel; Part Status : Obsolete; Packaging : Tube; Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB; Mounting Type : Through Hole; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power Dissipation (Max) : 36W (Tc); Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V; Vgs (Max) : ±20V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF614
IRF614
Производитель: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF614PBF
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF614
Производитель: IR
09+
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 5030 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)