IRF614SPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.94 грн |
| 10+ | 88.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF614SPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF614SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF614SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
IRF614SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
| IRF614SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IRF614SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 250V N-CH HEXFET D2-PA |
товар відсутній |
|
| IRF614SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |