IRF620

IRF620

Код товара: 7923
Производитель: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Монтаж: THT

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание IRF620

Цена IRF620 от 13.31 грн до 13.97 грн

IRF620
IRF620
Производитель: Rochester Electronics, LLC
5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL; Brand : Harris Corporation; Part Status : Active; Packaging : Bulk
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 3485 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
893+ 13.31 грн
IRF620
Производитель: SILI
N-MOSFET 6A 200V 70W 0.8? Trans. IRF620 TO220 TIRF620
количество в упаковке: 25 шт
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 30 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
25+ 13.97 грн
IRF620
Производитель: SILI
N-MOSFET 6A 200V 70W 0.8? Trans. IRF620 TO220 TIRF620
количество в упаковке: 25 шт
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 50 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
25+ 13.97 грн
IRF620
IRF620
Производитель: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 6A TO-220; Vgs (Max) : ±20V; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800mOhm @ 3A, 10V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); Packaging : Tube; Part Status : Obsolete; FET Type : N-Channel; Base Part Number : IRF6; Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB; Mounting Type : Through Hole; Operating Temperature : -65°C ~ 150°C (TJ); Power Dissipation (Max) : 70W (Tc); Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF620
IRF620
Производитель: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB; Base Part Number : IRF620; Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB; Mounting Type : Through Hole; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800mOhm @ 3.1A, 10V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 5.2A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); FET Type : N-Channel; Part Status : Obsolete; Packaging : Tube; Operating Temperature : -65°C ~ 150°C (TJ); Power Dissipation (Max) : 50W (Tc); Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V; Vgs (Max) : ±20V; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF620
IRF620
Производитель: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF620PBF
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF620
IRF620
Производитель: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 6 Amp
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF620
Производитель: IR
09+
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 5030 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF620
Производитель: MOT
02+
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 10 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF620
Производитель: ST
TO-220
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 1248 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)