Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF620
IRF620

IRF620

IRF620.pdf irf620.pdf
Код товару: 7923
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF620 за ціною від 29.74 грн до 29.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF620 IRF620 Виробник : Siliconix info-tirf620.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 irf620.pdf (MFET,N-CH,50W,200V,5A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 Виробник : STM IRF620-620FP.pdf N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Виробник : STMicroelectronics IRF620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Виробник : Vishay Siliconix irf620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Виробник : onsemi / Fairchild IRF620.pdf irf620.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Виробник : STMicroelectronics IRF620.pdf irf620.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620 IRF620 Виробник : Vishay / Siliconix IRF620.pdf irf620.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.