IRF620 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 21.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF620 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF620 за ціною від 13.5 грн до 20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF620 Код товару: 7923 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
|||||||
IRF620 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||
IRF620 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||
IRF620 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||
IRF620 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||
IRF620 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF620PBF |
товар відсутній |
||||||||
IRF620 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 200 Volt 6 Amp |
товар відсутній |
||||||||
IRF620 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs |
товар відсутній |