Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF620PBF за ціною від 34.81 грн до 181.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF620PBF | Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори |
на замовлення 20 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: tube |
на замовлення 589 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF620PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
на замовлення 20 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.53 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 171+ | 85.85 грн |
| 186+ | 79.16 грн |
| 250+ | 71.09 грн |
| 500+ | 62.88 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 88.05 грн |
| 231+ | 63.65 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 88.88 грн |
| 228+ | 64.43 грн |
| 500+ | 57.93 грн |
| 1000+ | 46.31 грн |
| 2000+ | 39.85 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 98.75 грн |
| 10+ | 51.87 грн |
| 50+ | 45.85 грн |
| 100+ | 42.28 грн |
| 250+ | 37.95 грн |
| 500+ | 34.81 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.52 грн |
| 10+ | 81.15 грн |
| 50+ | 61.08 грн |
| 100+ | 51.22 грн |
| 500+ | 40.52 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.46 грн |
| 10+ | 69.48 грн |
| 100+ | 49.58 грн |
| 500+ | 42.73 грн |
| 1000+ | 42.21 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.72 грн |
| 10+ | 88.05 грн |
| 100+ | 63.65 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.85 грн |
| 10+ | 89.08 грн |
| 100+ | 64.57 грн |
| 500+ | 55.98 грн |
| 1000+ | 42.97 грн |
| 2000+ | 38.34 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)









