на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF620PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF620PBF за ціною від 23.75 грн до 81.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF620PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 9712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 50W euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF620PBF | Виробник : Vishay Siliconix | N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF620PBF Код товару: 102083 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|