Інші пропозиції IRF620PBF за ціною від 23.94 грн до 122.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF620PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF620PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF620PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF620PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF620PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF620PBF | Виробник : STM |
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |