IRF620SPBF Vishay Semiconductors
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.04 грн |
| 10+ | 98.80 грн |
| 100+ | 81.35 грн |
| 500+ | 65.00 грн |
| 1000+ | 57.70 грн |
| 2000+ | 56.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF620SPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF620SPBF за ціною від 58.93 грн до 197.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF620SPBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF620SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF620SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRF620SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRF620SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Gate charge: 14nC On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 50W Pulsed drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |