
IRF620SPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 169.10 грн |
50+ | 92.06 грн |
100+ | 87.04 грн |
500+ | 65.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF620SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF620SPBF за ціною від 59.74 грн до 184.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF620SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF620SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF620SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF620SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRF620SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IRF620SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |