IRF6216PBF

IRF6216PBF

Код товара: 20309
Производитель: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 150 V
Id,A: 2,2 A
Rds(on),Om: 0,24 Ohm
Монтаж: SMD

irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
В наличии/под заказ
2 шт - РАДИОМАГ-Киев
1 шт - РАДИОМАГ-Одесса

1+ 18 грн
10+ 16.5 грн

Техническое описание IRF6216PBF

Цена IRF6216PBF от 16.5 грн до 32.69 грн

IRF6216PBF
Производитель: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
под заказ 5 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)
27+ 21.59 грн
29+ 20.15 грн
100+ 18.71 грн
IRF6216PBF
Производитель: INFIN

irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
под заказ 1 шт
срок поставки 16-23 дня (дней)
12+ 32.69 грн
20+ 29.82 грн
95+ 25.7 грн
475+ 24.46 грн
IRF6216PBF
Производитель:
IRF6216 -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
IRF6216PBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
irf6216pbf.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
IRF6216PBF
Производитель: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
IRF6216PBF
Производитель: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tube
Manufacturer: Infineon Technologies
irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF6216PBF SMD P channel transistors
irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
IRF6216PBF
Производитель: Infineon / IR
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC
Infineon_IRF6216_DataSheet_v01_01_EN-1228257.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7
под заказ 2 шт
срок поставки 9-28 дня (дней)
IRF6216PBF
IRF6216PBF
Производитель: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6216PBF - Power MOSFET, P Channel, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 0.24
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 2.5
Continuous Drain Current Id: 2.2
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 5
Drain Source Voltage Vds: 150
Transistor Case Style: SOIC
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
78757.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF6216PBF
IRF6216PBF
Производитель: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6216PBF - Power MOSFET, P Channel, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 0.24
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 2.5
Continuous Drain Current Id: 2.2
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 5
Drain Source Voltage Vds: 150
Transistor Case Style: SOIC
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
78757.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

С этим товаром покупают

Разрядник GDT1-86-2R-75L
Код товара: 123885
kls5-gdt1-56-2r-500l-datasheet.pdf
Разрядник GDT1-86-2R-75L
Производитель: KLS
Пассивные компоненты - Разрядники
Описание: Газоразрядник 2х-електродный, 8x6mm
Напряжение поджига: 75 V
Импульсное напряжение: 650 V
Импульсный ток разряда: 20 kA
Кол-во выводов: 2
7 шт - РАДИОМАГ-Киев
500 шт - ожидается 25.12.2021
1+ 12 грн
10+ 10.5 грн
100+ 8.8 грн
1000+ 7.5 грн
S3M-E3/9AT
Код товара: 123345
dps3msq-datasheet.pdf
Производитель: Vishay
Диоды, диодные мосты, стабилитроны - Диоды выпрямительные и импульсные
Корпус: DO-214AB
Uобр., V (RRM): 1000 V
Iвыпр., A (If): 3 A
Описание: Выпрямительный
Монтаж: SMD
Падение напряжения Vf: 1,15 V
98 шт - склад Киев
33 шт - РАДИОМАГ-Киев
5 шт - РАДИОМАГ-Львов
31 шт - РАДИОМАГ-Одесса
130 шт - РАДИОМАГ-Днепр
под заказ 9824 шт - цена и срок поставки
2+ 3.5 грн
10+ 3 грн
100+ 2.5 грн
BSS119NH6327XTSA1
Код товара: 118883
Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
BSS119NH6327XTSA1
под заказ 100124 шт - цена и срок поставки