Технічний опис IRF624 IR
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF624 за ціною від 20.00 грн до 20.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF624 Код товару: 7924
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 250 V Idd,A: 4,1 A Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 335/14 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||
| IRF624 |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
IRF624 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IRF624 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF624 Код товару: 7924
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| IRF624 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF624 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.