IRF624

IRF624

Код товару: 7924
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT

IRF624B.pdf
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт

Технічний опис IRF624

Ціна IRF624 від 0 грн до 0 грн

IRF624
IRF624
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
91029.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF624
Виробник: IR
09+
91029.pdf HRISD017-4-311.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5030 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF624
IRF624
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
HRISD017-4-311.pdf?t.download=true&u=5oefqw
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRF624
IRF624
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF624PBF
irf624-1768786.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик