IRF624SPBF

IRF624SPBF Vishay Semiconductors


sihf624s.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
на замовлення 1535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.54 грн
10+132.82 грн
100+94.98 грн
250+93.46 грн
500+80.54 грн
1000+68.00 грн
2000+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF624SPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF624SPBF за ціною від 72.62 грн до 223.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF624SPBF IRF624SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf624s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.56 грн
50+106.47 грн
100+95.91 грн
500+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF
Код товару: 165360
Додати до обраних Обраний товар

sihf624s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF IRF624SPBF Виробник : Vishay sihf624s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF IRF624SPBF Виробник : Vishay sihf624s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF IRF624SPBF Виробник : Vishay sihf624s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF Виробник : VISHAY sihf624s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF Виробник : VISHAY sihf624s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.