
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.22 грн |
10+ | 128.60 грн |
100+ | 91.96 грн |
250+ | 90.49 грн |
500+ | 77.98 грн |
1000+ | 65.84 грн |
2000+ | 62.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF624SPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF624SPBF за ціною від 70.32 грн до 216.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF624SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRF624SPBF Код товару: 165360
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
IRF624SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRF624SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRF624SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IRF624SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 14A On-state resistance: 1.1Ω Gate charge: 14nC Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
IRF624SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 14A On-state resistance: 1.1Ω Gate charge: 14nC Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |