IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF630 (TO-220, ST) ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF630NPBF Код товару: 15961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 9,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 Монтаж: THT |
у наявності: 225 шт
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ 19 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF630 (TO-220, ST) за ціною від 20.18 грн до 154.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF630 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 10770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 22679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 6903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : ST MICROELECTRONICS |
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Version: ESD |
товару немає в наявності |