IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF630 (TO-220, ST) ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF630NPBF Код товару: 15961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 200 V Струм стоку Idd, A: 9,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 575/35 Монтаж: THT |
у наявності: 221 шт
|
|
| IRF630NPBF Код товару: 15961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 9,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 9,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
- 167 шт - склад
- 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
Інші пропозиції IRF630 (TO-220, ST) за ціною від 20.19 грн до 187.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF630 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF630 | Siliconix |
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 22679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Version: ESD |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 6846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF630 | ST MICROELECTRONICS |
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF630 | HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF630 | HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 10770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF630 | HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF630 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 20.19 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 33.79 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 241+ | 82.98 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.16 грн |
| 50+ | 84.54 грн |
| 100+ | 71.38 грн |
| 500+ | 56.38 грн |
| 1000+ | 47.96 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 85.16 грн |
| 168+ | 84.54 грн |
| 199+ | 71.38 грн |
| 500+ | 56.38 грн |
| 1000+ | 47.96 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.59 грн |
| 151+ | 93.80 грн |
| 183+ | 77.56 грн |
| 500+ | 60.05 грн |
| 1000+ | 50.70 грн |
| 2000+ | 45.00 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 94.68 грн |
| 50+ | 93.88 грн |
| 100+ | 77.63 грн |
| 500+ | 60.10 грн |
| 1000+ | 50.75 грн |
| 2000+ | 45.04 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 128.58 грн |
| 10+ | 76.20 грн |
| 25+ | 66.50 грн |
| 50+ | 60.19 грн |
| 100+ | 54.47 грн |
| 250+ | 47.76 грн |
| 500+ | 43.45 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 135.81 грн |
| 11+ | 76.74 грн |
| 100+ | 58.18 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.53 грн |
| 50+ | 88.62 грн |
| 100+ | 79.71 грн |
| 500+ | 60.15 грн |
| 1000+ | 55.44 грн |
| 2000+ | 51.48 грн |
| 5000+ | 46.43 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF630 |
![]() |
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.60 грн |
| IRF630 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.59 грн |
| 500+ | 105.83 грн |
| 1000+ | 97.60 грн |
| 10000+ | 83.91 грн |









