Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630 (TO-220, ST)
IRF630 (TO-220, ST)

IRF630 (TO-220, ST)

Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF630 (TO-220, ST) ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
Виробник : IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 225 шт
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF630 (TO-220, ST) за ціною від 20.36 грн до 154.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630 IRF630 Виробник : JSMicro Semiconductor TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : Siliconix TIRF630_0631.pdf N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.cd00000701.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.00 грн
50+91.24 грн
100+75.42 грн
500+58.38 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.cd00000701.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+92.00 грн
154+91.24 грн
186+75.42 грн
500+58.38 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.cd00000701.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.95 грн
50+92.18 грн
100+76.21 грн
500+58.99 грн
1000+49.80 грн
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.cd00000701.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+93.58 грн
151+92.81 грн
183+76.73 грн
500+59.39 грн
1000+50.14 грн
2000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+109.32 грн
10+69.55 грн
25+60.99 грн
50+55.37 грн
100+50.42 грн
250+44.72 грн
500+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.60 грн
15+56.59 грн
100+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.35 грн
10+87.37 грн
100+51.16 грн
500+40.15 грн
1000+34.29 грн
2000+31.02 грн
5000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000701.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.47 грн
50+72.29 грн
100+64.79 грн
500+48.47 грн
1000+44.50 грн
2000+41.17 грн
5000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Виробник : ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Виробник : HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+116.28 грн
500+104.65 грн
1000+96.51 грн
10000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Виробник : HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+116.28 грн
500+104.65 грн
1000+96.51 грн
10000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Виробник : HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+116.28 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.cd00000701.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Виробник : STMicroelectronics IRF630_STM.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Виробник : Vishay/IR IRF630_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Виробник : Vishay / Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.