IRF630 STMicroelectronics
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 349+ | 36.91 грн |
| 357+ | 36.13 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 29.36 грн |
| 2000+ | 27.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Можливі заміни IRF630 STMicroelectronics
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF630NPBF Код товару: 15961
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 9,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 Монтаж: THT |
у наявності: 227 шт
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ 21 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF630 за ціною від 13.90 грн до 140.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 10820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 (TO-220, ST) Код товару: 3058
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 9 А Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 600/19 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 7297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : ST MICROELECTRONICS |
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
IRF630 THT N channel transistors |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF630 | Виробник : NXP Semiconductors |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
товару немає в наявності |