Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630 (TO-220, ST)
IRF630 (TO-220, ST)

IRF630 (TO-220, ST)

Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF630 (TO-220, ST) ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
  • 167 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
  • 167 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF630 (TO-220, ST) за ціною від 20.14 грн до 193.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.01 грн
50+91.31 грн
100+72.66 грн
500+56.79 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.01 грн
155+91.31 грн
195+72.66 грн
500+56.79 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.40 грн
50+102.50 грн
100+79.14 грн
500+60.53 грн
1000+50.68 грн
2000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.64 грн
138+102.74 грн
178+79.33 грн
500+60.67 грн
1000+50.79 грн
2000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.33 грн
500+105.60 грн
1000+97.38 грн
10000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.33 грн
500+105.60 грн
1000+97.38 грн
10000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 JSMicro Semiconductor TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Siliconix TIRF630_0631.pdf description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.17 грн
50+91.50 грн
100+82.31 грн
500+62.11 грн
1000+57.25 грн
2000+53.16 грн
5000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
241+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.01 грн
50+91.31 грн
100+72.66 грн
500+56.79 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+92.01 грн
155+91.31 грн
195+72.66 грн
500+56.79 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.40 грн
50+102.50 грн
100+79.14 грн
500+60.53 грн
1000+50.68 грн
2000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+103.64 грн
138+102.74 грн
178+79.33 грн
500+60.67 грн
1000+50.79 грн
2000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+117.33 грн
500+105.60 грн
1000+97.38 грн
10000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+117.33 грн
500+105.60 грн
1000+97.38 грн
10000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF630
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description TIRF630_0631.pdf
IRF630
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.17 грн
50+91.50 грн
100+82.31 грн
500+62.11 грн
1000+57.25 грн
2000+53.16 грн
5000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.