Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630 (TO-220, ST)
IRF630 (TO-220, ST)

IRF630 (TO-220, ST)

Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF630 (TO-220, ST) ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
IR infineon-irf630n-datasheet-en.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 188 шт
  • 157 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irf630n-datasheet-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 188 шт
  • 157 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF630 (TO-220, ST) за ціною від 33.03 грн до 198.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630 IRF630 Siliconix TIRF630_0631.pdf description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.20 грн
10+85.36 грн
50+84.19 грн
100+67.16 грн
500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.43 грн
10+88.04 грн
25+75.99 грн
28+34.98 грн
77+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.32 грн
10+94.31 грн
100+61.62 грн
500+48.38 грн
1000+41.38 грн
2000+37.47 грн
5000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.17 грн
10+107.40 грн
50+105.41 грн
100+79.27 грн
500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+123.33 грн
50+94.03 грн
100+79.37 грн
500+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+121.78 грн
500+109.60 грн
1000+101.08 грн
10000+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+121.78 грн
500+109.60 грн
1000+101.08 грн
10000+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description TIRF630_0631.pdf
IRF630
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
245+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
187+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
241+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+117.20 грн
10+85.36 грн
50+84.19 грн
100+67.16 грн
500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.43 грн
10+88.04 грн
25+75.99 грн
28+34.98 грн
77+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.32 грн
10+94.31 грн
100+61.62 грн
500+48.38 грн
1000+41.38 грн
2000+37.47 грн
5000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+170.17 грн
10+107.40 грн
50+105.41 грн
100+79.27 грн
500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+123.33 грн
50+94.03 грн
100+79.37 грн
500+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+121.78 грн
500+109.60 грн
1000+101.08 грн
10000+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+121.78 грн
500+109.60 грн
1000+101.08 грн
10000+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.