
IRF630 STMicroelectronics
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Можливі заміни IRF630 STMicroelectronics
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF630NPBF Код товару: 15961 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 9,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 Монтаж: THT |
у наявності: 186 шт
|
|
Інші пропозиції IRF630 за ціною від 19.33 грн до 105.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF630 | Виробник : Harris Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 22729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 14914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRF630 | Виробник : Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF630 | Виробник : Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF630 | Виробник : ST MICROELECTRONICS |
![]() ![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF630 | Виробник : IR |
![]() ![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRF630 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() ![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF630 (TO-220, ST) Код товару: 3058 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 9 А Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 600/19 Монтаж: THT |
товар відсутній
|