IRF630 (TO-220, ST)

IRF630 (TO-220, ST)

Код товара: 3058
Производитель: ST
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT

В наличии/под заказ
7 шт - РАДИОМАГ-Днепр
50 шт - ожидается

1+ 10 грн
10+ 9 грн
100+ 8.2 грн

Техническое описание IRF630 (TO-220, ST)

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:9A
  • On State Resistance:0.4ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.4ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:100W
  • Power Dissipation Pd:100W
  • Pulse Current Idm:36A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:540pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:170ns
  • Transistor Case Style:TO-220

Возможные замены

IRF630NPBF
IRF630NPBF
Код товара: 15961
Производитель: IR
Транзисторы - Полевые N-канальные
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
htmlspecialchars($datasheet_name)
1 шт - РАДИОМАГ-Одесса
59 шт - склад Киев
35 шт - ожидается
1+ 9 грн
10+ 8.1 грн

Цена IRF630 (TO-220, ST) от 1.51 грн до 11358.6 грн

IRF630
Производитель: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 66 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)
134+ 1.51 грн
IRF630
Производитель: INCHANGE
N-MOSFET 9A 200V 75W 0.35? IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) Trans. IRF630 TO220 TIRF630
количество в упаковке: 50 шт
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 634 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
50+ 10.76 грн
IRF630
Производитель: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 9 А; Ptot, Вт = 75; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220-3
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 50 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)
38+ 15.47 грн
40+ 14.43 грн
100+ 13.41 грн
IRF630
Производитель: ST
TO220AB MOSFET транзистор
количество в упаковке: 50 шт
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 3100 шт
срок поставки 14-18 дня (дней)
22+ 16.08 грн
150+ 14.92 грн
300+ 14.37 грн
600+ 13.68 грн
IRF630
Производитель: STMicroelectronics
Material: IRF630 THT N channel transistors
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 690 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
3+ 20.71 грн
10+ 12.94 грн
75+ 12.34 грн
1000+ 12 грн
IRF630
IRF630
Производитель: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 2999 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
8+ 45.55 грн
10+ 38.32 грн
100+ 24.98 грн
250+ 24.22 грн
IRF630
IRF630
Производитель: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB; FET Type : N-Channel; Mounting Type : Through Hole; Part Status : Active; Operating Temperature : -65°C ~ 150°C (TJ); Packaging : Tube; Power Dissipation (Max) : 75W (Tc); Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 25V; Vgs (Max) : ±20V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400mOhm @ 4.5A, 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 13255 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
10+ 47.17 грн
11+ 42.09 грн
25+ 37.1 грн
100+ 27.83 грн
250+ 27.56 грн
500+ 21.77 грн
1000+ 17.74 грн
2500+ 17.49 грн
5000+ 15.9 грн
IRF630
Производитель: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 579 шт
срок поставки 6-21 дня (дней)
8+ 47.53 грн
10+ 37.05 грн
100+ 26.08 грн
500+ 21.83 грн
IRF630
IRF630
Производитель: Rochester Electronics, LLC
N-CHANNEL POWER MOSFET; Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB; Mounting Type : Through Hole; Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 25V; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400mOhm @ 5.4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); FET Type : N-Channel; Part Status : Obsolete; Packaging : Tube
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 23957 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
491+ 11358.6 грн
IRF630
Производитель:
IRF630 N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 14 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)
IRF630
Производитель: STMicroelectronics NV
N-кан. MOSFET 200V, 9A, 0.35Ом, 75Вт, TO-220 (PowerMesh II)
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 169 шт
срок поставки 4 дня (дней)
IRF630
IRF630
Производитель: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF630PBF
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF630
Производитель: FAIRCHID
01+
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 100 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель:
07+;
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 18 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель: IR
09+
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 5030 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель: STM

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 1400 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель: ST
07+;
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 40000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель: ST
TO-220
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 17000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель: IR
2010+
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 5000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF630
Производитель:

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 2080 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

С этим товаром покупают

1N4937
Код товара: 16006
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
1N4937
Производитель: Yangjie
Диоды, диодные мосты, стабилитроны - Диоды супербыстрые
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Время обратного восстановления Trr, ns: 150 ns
263 шт - РАДИОМАГ-Киев
59 шт - РАДИОМАГ-Львов
290 шт - РАДИОМАГ-Одесса
508 шт - РАДИОМАГ-Днепр
500 шт - склад Киев
под заказ 3297240 шт - цена и срок поставки
7+ 0.75 грн
10+ 0.6 грн
100+ 0.4 грн
1000+ 0.28 грн
2 Ohm 5% 0,25W выв. (CR025SJTB-2R-Hitano) (S)
Код товара: 13643
htmlspecialchars($datasheet_name)
2 Ohm 5% 0,25W выв. (CR025SJTB-2R-Hitano) (S)
Производитель: Hitano
Выводные резисторы - 0,25W
Номинал: 2 Ohm
Точность: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uраб,V: 250 V
Габариты: 3,2х1,6 mm; Dвыв=0,45 mm
Тип: угольно-пленочные
29 шт - РАДИОМАГ-Львов
25 шт - РАДИОМАГ-Харьков
10000 шт - склад Киев
20+ 0.4 грн
100+ 0.16 грн
1000+ 0.12 грн
1N4148
Код товара: 7711
htmlspecialchars($datasheet_name)
1N4148
Производитель: YJ/Vishay
Диоды, диодные мосты, стабилитроны - Диоды супербыстрые
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Время обратного восстановления Trr, ns: 8 ns
Примечание: 1N4448
Может заменить:: THT
1 V
1936 шт - РАДИОМАГ-Киев
2666 шт - РАДИОМАГ-Львов
1148 шт - РАДИОМАГ-Харьков
1778 шт - РАДИОМАГ-Одесса
1220 шт - РАДИОМАГ-Днепр
5884 шт - склад Киев
10000 шт - ожидается
под заказ 4669803 шт - цена и срок поставки
5+ 1 грн
10+ 0.5 грн
100+ 0.33 грн
1000+ 0.22 грн
Возможные замены
1N4448 (DO-35, Yangjie)
Код товара: 20338
BZX55-C18
Код товара: 2473
htmlspecialchars($datasheet_name)
BZX55-C18
Производитель: NXP
Диоды, диодные мосты, стабилитроны - Стабилитроны
Корпус: DO-35
Напряжение стабилизации, Vz: 18 V
Ток стабилизации, Izt: 5mA
Мощность, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурный коэффициент: 14.4mV/K
61 шт - РАДИОМАГ-Киев
414 шт - РАДИОМАГ-Львов
489 шт - РАДИОМАГ-Харьков
82 шт - РАДИОМАГ-Одесса
457 шт - РАДИОМАГ-Днепр
2785 шт - склад Киев
под заказ 125916 шт - цена и срок поставки
5+ 1 грн
10+ 0.75 грн
100+ 0.7 грн