 
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 50+ | 36.35 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630SPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції IRF630SPBF за ціною від 43.51 грн до 88.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : VISHAY |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Mounting: SMD Gate charge: 43nC On-state resistance: 0.4Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 5.7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 200V Case: D2PAK; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar | на замовлення 184 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 1035 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs TO263  200V    9A N-CH MOSFET | на замовлення 4295 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 750 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 750 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : VISHAY |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Mounting: SMD Gate charge: 43nC On-state resistance: 0.4Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 5.7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 200V Case: D2PAK; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 184 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF630SPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності |