Продукція > VISHAY > IRF630SPBF
IRF630SPBF

IRF630SPBF Vishay

sih630s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF630SPBF за ціною від 43.51 грн до 88.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
186+66.71 грн
192+64.72 грн
500+59.24 грн
1000+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.68 грн
50+45.66 грн
100+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.87 грн
50+61.98 грн
100+59.34 грн
500+51.49 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.79 грн
10+65.08 грн
100+53.99 грн
500+49.94 грн
1000+46.81 грн
2000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+75.49 грн
172+72.35 грн
500+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+81.18 грн
100+77.80 грн
500+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
50+56.90 грн
100+52.22 грн
250+49.07 грн
500+46.78 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+88.23 грн
10+80.91 грн
100+78.08 грн
500+66.45 грн
1000+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.