на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 31.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630SPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF630SPBF за ціною від 34.68 грн до 117.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF630SPBF | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF630SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 5191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |