IRF630SPBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 71.19 грн |
| 50+ | 48.03 грн |
| 100+ | 45.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630SPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF630SPBF за ціною від 56.46 грн до 243.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF630SPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF630SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF630SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET |
на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 76.65 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 164+ | 86.27 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 119.25 грн |
| 141+ | 100.47 грн |
| 500+ | 83.75 грн |
| 1000+ | 77.50 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.53 грн |
| 50+ | 83.62 грн |
| 100+ | 75.10 грн |
| 500+ | 56.46 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 243.18 грн |
| 10+ | 119.25 грн |
| 100+ | 100.47 грн |
| 500+ | 80.76 грн |
| 1000+ | 71.76 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)