Продукція > VISHAY > IRF630SPBF
IRF630SPBF

IRF630SPBF Vishay

sih630s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF630SPBF за ціною від 38.47 грн до 81.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.34 грн
23+40.68 грн
63+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+67.37 грн
193+63.37 грн
500+57.75 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.18 грн
100+67.89 грн
500+59.67 грн
1000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+76.57 грн
173+70.42 грн
500+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.03 грн
10+68.94 грн
100+57.82 грн
500+51.06 грн
1000+46.65 грн
2000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.08 грн
50+67.23 грн
100+66.67 грн
500+53.92 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.80 грн
23+50.70 грн
63+46.16 грн
1000+44.54 грн
5000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+81.89 грн
100+75.32 грн
500+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.