Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF

IRF630STRLPBF Vishay Siliconix

sih630s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF630STRLPBF за ціною від 49.61 грн до 164.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.87 грн
10+102.14 грн
100+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.40 грн
10+112.25 грн
100+76.33 грн
500+61.72 грн
800+53.87 грн
2400+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Виробник : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF Виробник : VISHAY sih630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF Виробник : VISHAY sih630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.