Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > IRF634PBF
IRF634PBF

IRF634PBF Vishay Semiconductors

irf634.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.68 грн
10+99.29 грн
100+71.70 грн
500+58.86 грн
1000+53.68 грн
2000+50.75 грн
5000+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF634PBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF634PBF за ціною від 61.05 грн до 190.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF634PBF IRF634PBF Vishay Siliconix irf634.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.03 грн
10+118.03 грн
50+89.97 грн
100+75.94 грн
500+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY VISH-S-A0012397591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF irf634.pdf
IRF634PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.03 грн
10+118.03 грн
50+89.97 грн
100+75.94 грн
500+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF VISH-S-A0012397591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF634PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.