IRF634PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.86 грн |
| 50+ | 52.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF634PBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF634PBF за ціною від 40.76 грн до 137.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF634PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 5523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF634PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 8.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF634PBF | Виробник : VISHAY |
IRF634PBF THT N channel transistors |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF634PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF634PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |


