Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF634PBF
IRF634PBF

IRF634PBF Vishay Siliconix

irf634.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.68 грн
50+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF634PBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRF634PBF за ціною від 59.41 грн до 127.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY IRF634PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.96 грн
10+78.66 грн
50+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF IRF634PBF Vishay Semiconductors irf634.pdf MOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY VISH-S-A0012397591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF IRF634PBF.pdf
IRF634PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.96 грн
10+78.66 грн
50+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF irf634.pdf
IRF634PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF VISH-S-A0012397591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF634PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.