Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > IRF634STRRPBF
IRF634STRRPBF

IRF634STRRPBF Vishay Semiconductors

sihf634s.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 8.1 Amp
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.18 грн
10+153.98 грн
100+92.70 грн
500+72.02 грн
800+64.23 грн
2400+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF634STRRPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF634STRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF Виробник : Vishay sihf634s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF Виробник : Vishay sihf634s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF Виробник : VISHAY sihf634s.pdf IRF634STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf634s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf634s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.