
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 118.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF640
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Можливі заміни IRF640
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 4 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||
![]() |
IRF640NPBF Код товару: 42934
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 320 шт
268 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Харків 7 шт - РАДІОМАГ-Одеса 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF640 за ціною від 23.10 грн до 27.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640 Код товару: 192240
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||
IRF640 | Виробник : SLKOR |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IRF640 Код товару: 7926
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Philips |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
![]() |
IRF640 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF640 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IRF640 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF640 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF640 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF640 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF640 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |