IRF9640PBF
Код товару: 22646
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| 100+ | 37.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9640PBF за ціною від 27.90 грн до 241.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9640PBF Код товару: 123234
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Id, А: 11 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44 Монтаж: THT |
у наявності: 62 шт
очікується: 100 шт
|
|
||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 53596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET |
на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF9640PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 5745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9640PBF | JSMSEMI |
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори |
на замовлення 618 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRF9640PBF Код товару: 123234
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
- 33 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 104.23 грн |
| 10+ | 75.37 грн |
| 50+ | 63.38 грн |
| 100+ | 59.95 грн |
| 250+ | 54.81 грн |
| 500+ | 52.24 грн |
| 1000+ | 49.68 грн |
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 113.27 грн |
| 133+ | 106.69 грн |
| 250+ | 98.78 грн |
| 500+ | 88.91 грн |
| 1000+ | 78.79 грн |
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.78 грн |
| 105+ | 135.69 грн |
| 500+ | 106.74 грн |
| 1000+ | 91.57 грн |
| 2000+ | 82.04 грн |
| 5000+ | 75.65 грн |
| 10000+ | 70.29 грн |
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 150.35 грн |
| 50+ | 150.32 грн |
| 100+ | 136.18 грн |
| 500+ | 107.12 грн |
| 1000+ | 91.90 грн |
| 2000+ | 82.33 грн |
| 5000+ | 75.92 грн |
| 10000+ | 70.54 грн |
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 53596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.74 грн |
| 10+ | 150.93 грн |
| 50+ | 115.73 грн |
| 100+ | 97.95 грн |
| 500+ | 79.28 грн |
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9640PBF |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
на замовлення 618 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 38.64 грн |
З цим товаром купують
| IRF640NPBF Код товару: 42934
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 716 шт
- 631 шт - склад
- 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
- 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| IRF640N Код товару: 30510
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
- 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| IRF640 Код товару: 7926
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27.00 грн |
| 10+ | 23.10 грн |
| BZX79-C15 Код товару: 24004
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 756 шт
- 606 шт - склад
- 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 11 шт
- 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| IRF9530NPBF Код товару: 32844
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 387 шт
- 353 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
- 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |











