IRF640NPBF

IRF640NPBF


irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Код товару: 42934
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності 641 шт:

562 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF640NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640N IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 83 шт
40 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 25.39 грн до 130.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+57.99 грн
236+51.72 грн
500+42.97 грн
1000+34.71 грн
4000+29.05 грн
10000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+65.89 грн
249+48.93 грн
293+41.63 грн
500+34.35 грн
1000+30.14 грн
2000+27.06 грн
4000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+102.47 грн
12+53.47 грн
100+47.70 грн
500+38.21 грн
1000+29.63 грн
4000+25.72 грн
10000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.38 грн
10+73.93 грн
25+59.02 грн
28+31.96 грн
77+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 37271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
50+49.91 грн
100+48.05 грн
500+37.42 грн
1000+34.21 грн
2000+31.50 грн
5000+28.11 грн
10000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.38 грн
10+110.32 грн
100+54.67 грн
500+42.96 грн
1000+35.71 грн
5000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.46 грн
10+92.12 грн
25+70.82 грн
28+38.35 грн
77+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.15 грн
10+63.30 грн
100+47.56 грн
500+38.68 грн
1000+35.52 грн
2000+32.59 грн
5000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Виробник : IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.76 грн
10+53.82 грн
100+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9640PBF
Код товару: 22646
Додати до обраних Обраний товар

IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
72 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар

description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1849 шт
1670 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
2+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00000444.pdf 845a998d9bf6724e5e8e3f710fd552fe.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 2 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 2356 шт
2195 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
104 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
1+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 8412 шт
7838 шт - склад
181 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
189 шт - РАДІОМАГ-Харків
74 шт - РАДІОМАГ-Одеса
59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.