Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF640NPBF
IRF640NPBF

IRF640NPBF

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Код товару: 42934
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності 165 шт:
109 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 25.02 грн до 127.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 164900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
236+52.24 грн
250+49.33 грн
500+42.35 грн
1000+35.87 грн
4000+30.49 грн
10000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.03 грн
10+52.73 грн
25+42.04 грн
50+35.23 грн
100+30.48 грн
250+26.60 грн
500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.04 грн
10+65.71 грн
25+50.45 грн
50+42.28 грн
100+36.58 грн
250+31.92 грн
500+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 34481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
50+43.69 грн
100+43.29 грн
500+35.59 грн
1000+32.76 грн
2000+30.34 грн
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+104.30 грн
130+95.26 грн
260+47.47 грн
500+45.38 грн
1000+41.14 грн
2000+34.21 грн
4000+30.34 грн
8000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF640N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+104.89 грн
25+41.57 грн
100+40.89 грн
500+35.27 грн
1000+32.61 грн
2000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 164914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+118.32 грн
13+56.06 грн
100+52.93 грн
500+43.82 грн
1000+35.64 грн
4000+31.40 грн
10000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.04 грн
10+123.63 грн
100+54.99 грн
500+41.88 грн
1000+35.52 грн
5000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9640PBF
Код товару: 22646
Додати до обраних Обраний товар

IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
41 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар

description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1996 шт
1882 шт - склад
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00000444.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 2 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 5325 шт
5175 шт - склад
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
42 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 8117 шт
6929 шт - склад
78 шт - РАДІОМАГ-Київ
209 шт - РАДІОМАГ-Львів
58 шт - РАДІОМАГ-Харків
31 шт - РАДІОМАГ-Одеса
812 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.