Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF640NPBF
IRF640NPBF

IRF640NPBF

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Код товару: 42934
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності 859 шт:
829 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
2+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 23.42 грн до 138.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+62.60 грн
250+51.59 грн
500+44.27 грн
1000+36.59 грн
4000+31.11 грн
10000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.24 грн
10+46.93 грн
50+39.89 грн
100+36.99 грн
250+33.19 грн
500+30.37 грн
1000+27.48 грн
2000+24.58 грн
5000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.88 грн
10+58.48 грн
50+47.87 грн
100+44.39 грн
250+39.82 грн
500+36.45 грн
1000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 14368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.28 грн
10+63.14 грн
100+49.02 грн
500+38.69 грн
1000+35.28 грн
2000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 28012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.34 грн
50+57.80 грн
100+51.60 грн
500+38.22 грн
1000+34.94 грн
2000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+128.02 грн
11+67.28 грн
100+55.45 грн
500+45.89 грн
1000+36.41 грн
4000+32.10 грн
10000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+138.22 грн
100+137.36 грн
201+64.21 грн
500+58.03 грн
1000+52.74 грн
2000+42.09 грн
4000+36.72 грн
8000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - MOSFET, N-KANAL, 200V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.13 грн
10+94.48 грн
100+59.18 грн
500+45.44 грн
1000+38.43 грн
5000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9640PBF
Код товару: 22646
Додати до обраних Обраний товар

IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 60 шт
15 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00000444.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 2 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 4285 шт
4107 шт - склад
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 30 шт
30 шт - очікується
Кількість Ціна
5+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
Додати до обраних Обраний товар

irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 213 шт
194 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
3+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 9863 шт
9463 шт - склад
400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
300 шт - очікується
Кількість Ціна
17+3.00 грн
24+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 5% 0,25W вив. (S)
Код товару: 13812
Додати до обраних Обраний товар

uni-ohm-carbon film resistors.pdf
100 kOhm 5% 0,25W вив. (S)
Виробник: Uni Ohm
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 76499 шт
71320 шт - склад
205 шт - РАДІОМАГ-Київ
704 шт - РАДІОМАГ-Львів
3370 шт - РАДІОМАГ-Харків
900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
90+0.60 грн
120+0.45 грн
1000+0.30 грн
10000+0.10 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.