Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF640NPBF
IRF640NPBF

IRF640NPBF

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Код товару: 42934
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 688 шт
  • 659 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 24.12 грн до 197.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.17 грн
4000+41.94 грн
10000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.17 грн
4000+41.94 грн
10000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 155400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.52 грн
213+66.56 грн
500+59.24 грн
1000+46.62 грн
4000+38.85 грн
10000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 50199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.20 грн
14+62.16 грн
100+55.48 грн
500+40.70 грн
1000+34.15 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.10 грн
10+55.22 грн
50+36.90 грн
100+32.44 грн
250+28.58 грн
500+26.56 грн
750+25.64 грн
1000+25.13 грн
2000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.28 грн
225+63.13 грн
228+62.34 грн
500+54.21 грн
1000+41.77 грн
4000+36.42 грн
10000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 32280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.97 грн
10+95.56 грн
100+54.61 грн
500+43.29 грн
1000+38.48 грн
2000+35.12 грн
5000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 155400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.90 грн
12+67.33 грн
100+66.37 грн
500+56.96 грн
1000+43.05 грн
4000+37.20 грн
10000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 27276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.96 грн
50+92.85 грн
100+83.32 грн
500+62.51 грн
1000+57.47 грн
2000+53.23 грн
5000+47.85 грн
10000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+44.17 грн
4000+41.94 грн
10000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+44.17 грн
4000+41.94 грн
10000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 155400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
210+67.52 грн
213+66.56 грн
500+59.24 грн
1000+46.62 грн
4000+38.85 грн
10000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 50199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.20 грн
14+62.16 грн
100+55.48 грн
500+40.70 грн
1000+34.15 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+123.10 грн
10+55.22 грн
50+36.90 грн
100+32.44 грн
250+28.58 грн
500+26.56 грн
750+25.64 грн
1000+25.13 грн
2000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
106+134.28 грн
225+63.13 грн
228+62.34 грн
500+54.21 грн
1000+41.77 грн
4000+36.42 грн
10000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 32280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.97 грн
10+95.56 грн
100+54.61 грн
500+43.29 грн
1000+38.48 грн
2000+35.12 грн
5000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 155400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+168.90 грн
12+67.33 грн
100+66.37 грн
500+56.96 грн
1000+43.05 грн
4000+37.20 грн
10000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 27276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+197.96 грн
50+92.85 грн
100+83.32 грн
500+62.51 грн
1000+57.47 грн
2000+53.23 грн
5000+47.85 грн
10000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9640PBF
Код товару: 22646
Додати до обраних Обраний товар
IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
8 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000444.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 2 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 3391 шт
  • 3215 шт - склад
  • 54 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 77 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
1 Додати до обраних Обраний товар
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 128 шт
  • 93 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 300 шт
  • 300 шт - очікується
КількістьЦіна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
5 Додати до обраних Обраний товар
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 5785 шт
  • 5449 шт - склад
  • 148 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 153 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 250 шт
  • 250 шт - очікується
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 5% 0,25W вив. (S)
Код товару: 13812
Додати до обраних Обраний товар
uni-ohm-carbon film resistors.pdf
100 kOhm 5% 0,25W вив. (S)
Виробник: Uni Ohm
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 55514 шт
  • 50050 шт - склад
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 354 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3210 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1855 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
КількістьЦіна
40+0.60 грн
100+0.45 грн
1000+0.30 грн
10000+0.10 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.