IRF640NPBF


infineon-irf640n-datasheet-en.pdf
Код товару: 42934
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 641 шт
  • 554 шт - склад
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 26.41 грн до 175.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 5294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.12 грн
33+28.99 грн
90+27.41 грн
2000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon_irf640n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 43612 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.28 грн
10+79.31 грн
100+53.36 грн
500+43.13 грн
1000+38.64 грн
2000+35.92 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 23553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.80 грн
10+96.43 грн
50+72.93 грн
100+61.32 грн
500+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 47700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
295+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 5294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.12 грн
33+28.99 грн
90+27.41 грн
2000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+148.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF infineon_irf640n_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 43612 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.28 грн
10+79.31 грн
100+53.36 грн
500+43.13 грн
1000+38.64 грн
2000+35.92 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 23553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.80 грн
10+96.43 грн
50+72.93 грн
100+61.32 грн
500+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+175.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 47700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9640PBF
Код товару: 22646
1 Додати до обраних Обраний товар
IRF9640PBF.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+40.50 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
12 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000444.pdf
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 128 шт
  • 44 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 26.11.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
2 Додати до обраних Обраний товар
irf9530n.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 123234
2 Додати до обраних Обраний товар
sihf9640-datasheet.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
  • 103 шт - склад
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
5 Додати до обраних Обраний товар
1N5400-1N5408.pdf
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
у наявності: 6272 шт
  • 6272 шт - склад
очікується: 2 шт
  • 2 шт - очікується
на замовлення: 65 шт
  • 65 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.