Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF640NPBF
IRF640NPBF

IRF640NPBF

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Код товару: 42934
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 744 шт
  • 659 шт - склад
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 23.85 грн до 172.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.24 грн
4000+40.20 грн
10000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.24 грн
4000+40.20 грн
10000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 190280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.62 грн
219+64.97 грн
500+59.95 грн
1000+46.43 грн
4000+40.91 грн
10000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.70 грн
10+54.59 грн
50+36.48 грн
100+32.08 грн
250+28.25 грн
500+26.26 грн
750+25.34 грн
1000+24.85 грн
2000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.48 грн
13+62.73 грн
100+62.11 грн
500+55.69 грн
1000+42.68 грн
4000+37.11 грн
10000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 25710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+97.67 грн
50+73.87 грн
100+62.13 грн
500+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 190280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.13 грн
12+65.57 грн
100+64.92 грн
500+57.77 грн
1000+42.96 грн
4000+39.25 грн
10000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 36871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 47257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.24 грн
4000+40.20 грн
10000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.24 грн
4000+40.20 грн
10000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
327+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 190280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
217+65.62 грн
219+64.97 грн
500+59.95 грн
1000+46.43 грн
4000+40.91 грн
10000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.70 грн
10+54.59 грн
50+36.48 грн
100+32.08 грн
250+28.25 грн
500+26.26 грн
750+25.34 грн
1000+24.85 грн
2000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.48 грн
13+62.73 грн
100+62.11 грн
500+55.69 грн
1000+42.68 грн
4000+37.11 грн
10000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 25710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.21 грн
10+97.67 грн
50+73.87 грн
100+62.13 грн
500+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 190280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.13 грн
12+65.57 грн
100+64.92 грн
500+57.77 грн
1000+42.96 грн
4000+39.25 грн
10000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 36871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 47257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9640PBF
Код товару: 22646
1 Додати до обраних Обраний товар
IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 13.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+40.50 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L7812CV
Код товару: 29158
9 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00000444.pdf %5BLumimax%5DL7812CV.pdf c168776e2953fdb9c2c5d2e822b5d7b0.pdf 1779523855119694.pdf
L7812CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 2 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 2610 шт
  • 2490 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 75 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.50 грн
10+9.40 грн
100+8.50 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
2 Додати до обраних Обраний товар
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 394 шт
  • 359 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
5 Додати до обраних Обраний товар
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
у наявності: 3810 шт
  • 3359 шт - склад
  • 181 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 267 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 96 шт
  • 96 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 123234
1 Додати до обраних Обраний товар
sihf9640-datasheet.pdf
IRF9640PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
  • 33 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.