Продукція > VISHAY > IRF640PBF-BE3
IRF640PBF-BE3

IRF640PBF-BE3 Vishay

irf640.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640PBF-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640PBF-BE3 за ціною від 39.88 грн до 179.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.59 грн
50+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.78 грн
10+105.98 грн
25+82.00 грн
100+76.19 грн
500+60.67 грн
1000+52.83 грн
2000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.90 грн
10+123.73 грн
25+117.22 грн
50+102.80 грн
100+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 Виробник : Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 Виробник : VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.32 грн
10+88.44 грн
16+55.94 грн
44+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 Виробник : VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.18 грн
10+110.21 грн
16+67.12 грн
44+63.50 грн
2000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.