Продукція > VISHAY > IRF640PBF
IRF640PBF

IRF640PBF Vishay

irf640.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.29 грн
11+58.88 грн
25+53.91 грн
100+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640PBF за ціною від 33.71 грн до 164.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+126.29 грн
135+90.21 грн
138+88.24 грн
500+78.09 грн
1000+57.32 грн
2000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.74 грн
50+82.36 грн
100+77.28 грн
500+70.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+129.75 грн
10+116.51 грн
25+83.22 грн
100+78.50 грн
500+66.70 грн
1000+50.76 грн
2000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.76 грн
10+95.17 грн
26+35.68 грн
69+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.09 грн
10+124.55 грн
100+88.73 грн
500+71.96 грн
1000+56.80 грн
5000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.85 грн
10+131.85 грн
25+84.90 грн
100+76.92 грн
1000+55.01 грн
2000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.11 грн
10+118.59 грн
26+42.81 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF Виробник : VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF
Код товару: 22635
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR sihf640.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.