Продукція > VISHAY > IRF640PBF
IRF640PBF

IRF640PBF Vishay

irf640.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+113.63 грн
10+94.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640PBF за ціною від 46.92 грн до 240.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.38 грн
10+80.10 грн
50+69.36 грн
100+63.58 грн
250+58.63 грн
300+57.80 грн
500+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+134.30 грн
111+116.32 грн
121+106.72 грн
250+94.82 грн
300+86.72 грн
500+79.14 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.46 грн
10+99.81 грн
50+83.23 грн
100+76.30 грн
250+70.35 грн
300+69.36 грн
500+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.88 грн
10+152.06 грн
100+136.85 грн
500+104.04 грн
1000+89.18 грн
5000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.52 грн
50+112.17 грн
100+101.44 грн
500+77.53 грн
1000+71.86 грн
2000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.10 грн
10+119.12 грн
100+93.98 грн
500+76.83 грн
1000+70.66 грн
2000+49.39 грн
5000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF Виробник : VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF
Код товару: 22635
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR sihf640.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Виробник : Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.