Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF640PBF
IRF640PBF

IRF640PBF

sihf640.pdf
Код товару: 22635
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640PBF за ціною від 34.66 грн до 330.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.08 грн
100+150.54 грн
500+107.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.97 грн
10+137.00 грн
26+36.31 грн
72+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+262.74 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+330.53 грн
59+244.20 грн
74+193.69 грн
100+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.08 грн
100+150.54 грн
500+107.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.97 грн
10+137.00 грн
26+36.31 грн
72+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+262.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+262.74 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+330.53 грн
59+244.20 грн
74+193.69 грн
100+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.