Технічний опис IRF640S
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:18A
- On State Resistance:0.18ohm
- Case Style:TO-220 (SOT-78B)
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:72A
- Typ Capacitance Ciss:1200pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
- Transistor Case Style:TO-220
Інші пропозиції IRF640S за ціною від 54.09 грн до 54.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF640S | Siliconix |
  Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|