Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF640SPBF

IRF640SPBF

sihf640s.pdf
Код товару: 175573
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF640SPBF за ціною від 48.69 грн до 343.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+177.13 грн
100+161.15 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+184.71 грн
82+174.08 грн
100+164.78 грн
500+134.55 грн
750+118.65 грн
1000+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.97 грн
10+115.54 грн
19+51.17 грн
51+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+217.57 грн
10+142.13 грн
100+83.37 грн
500+67.28 грн
1000+62.16 грн
2000+61.80 грн
5000+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.25 грн
10+182.49 грн
50+141.15 грн
100+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.13 грн
10+176.42 грн
100+160.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.58 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+177.13 грн
100+161.15 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+184.71 грн
82+174.08 грн
100+164.78 грн
500+134.55 грн
750+118.65 грн
1000+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.97 грн
10+115.54 грн
19+51.17 грн
51+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.57 грн
10+142.13 грн
100+83.37 грн
500+67.28 грн
1000+62.16 грн
2000+61.80 грн
5000+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.25 грн
10+182.49 грн
50+141.15 грн
100+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+333.13 грн
10+176.42 грн
100+160.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+343.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+343.58 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.