IRF640SPBF VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 98.50 грн |
| 500+ | 88.99 грн |
| 1000+ | 80.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF640SPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF640SPBF за ціною від 57.68 грн до 280.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF640SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF640SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF640SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF640SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF640SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF640SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF640SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF640SPBF Код товару: 175573
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRF640SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF640SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF640SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF640SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp |
товару немає в наявності |