Продукція > VISHAY > IRF640SPBF
IRF640SPBF

IRF640SPBF VISHAY

IRF640S.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.06 грн
10+ 65.36 грн
17+ 49.54 грн
45+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640SPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640SPBF за ціною від 56.14 грн до 173.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.47 грн
10+ 81.45 грн
17+ 59.45 грн
45+ 56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+97.46 грн
10+ 81.15 грн
100+ 73.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+104.95 грн
134+ 87.39 грн
148+ 79.3 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.94 грн
10+ 100.27 грн
100+ 76.62 грн
1000+ 73.98 грн
2000+ 72.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.04 грн
50+ 108.02 грн
100+ 88.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+140.17 грн
10+ 99.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+173.38 грн
10+ 128.19 грн
25+ 123.74 грн
50+ 110.77 грн
100+ 98.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640SPBF
Код товару: 175573 		sihf640s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній