Продукція > VISHAY > IRF640SPBF
IRF640SPBF

IRF640SPBF Vishay

sihf640s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.52 грн
233+52.32 грн
253+48.28 грн
257+45.69 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640SPBF за ціною від 43.07 грн до 199.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.79 грн
13+56.06 грн
25+49.88 грн
100+45.33 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.35 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.51 грн
113+108.15 грн
500+102.58 грн
1000+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.32 грн
10+118.12 грн
18+51.63 грн
50+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF
Код товару: 175573
Додати до обраних Обраний товар

sihf640s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+143.29 грн
127+95.97 грн
138+88.75 грн
1000+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.04 грн
50+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.58 грн
10+86.19 грн
100+71.04 грн
1000+70.37 грн
2000+69.77 грн
5000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.78 грн
10+147.20 грн
18+61.96 грн
50+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+165.31 грн
86+142.94 грн
128+95.10 грн
139+84.72 грн
1000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.65 грн
10+143.22 грн
100+94.35 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+176.22 грн
10+152.87 грн
25+102.38 грн
100+91.30 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+177.11 грн
10+153.15 грн
25+101.89 грн
100+90.77 грн
1000+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.66 грн
10+161.75 грн
25+126.37 грн
50+111.08 грн
100+96.76 грн
500+92.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.