Продукція > VISHAY > IRF640SPBF
IRF640SPBF

IRF640SPBF Vishay

sihf640s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640SPBF за ціною від 69.05 грн до 227.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+81.12 грн
10+76.19 грн
100+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.27 грн
500+88.78 грн
1000+80.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+124.67 грн
123+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.79 грн
50+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.35 грн
50+86.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.94 грн
10+100.04 грн
100+98.27 грн
500+88.78 грн
1000+80.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.26 грн
10+133.68 грн
25+127.48 грн
50+111.80 грн
100+97.89 грн
500+93.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.35 грн
10+131.00 грн
100+108.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+227.30 грн
102+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF
Код товару: 175573
Додати до обраних Обраний товар

sihf640s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.