| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 257.34 грн |
| 10+ | 191.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF644SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.
Інші пропозиції IRF644SPBF за ціною від 59.30 грн до 412.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF644SPBF | VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF644SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF644SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF644SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF644SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF644SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 322.06 грн |
| 10+ | 212.64 грн |
| 16+ | 62.69 грн |
| 42+ | 59.30 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 341.59 грн |
| 10+ | 192.53 грн |
| 100+ | 146.39 грн |
| 500+ | 129.13 грн |
| 5000+ | 108.11 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 353.93 грн |
| 10+ | 225.46 грн |
| 50+ | 175.98 грн |
| 100+ | 150.20 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 412.47 грн |
| 59+ | 248.28 грн |
| 100+ | 216.77 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)