Технічний опис IRF644SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції IRF644SPBF за ціною від 97.87 грн до 461.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF644SPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF644SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 360 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF644SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF644SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF644SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF644SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF644SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF644SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 133+ | 106.82 грн |
| 135+ | 105.75 грн |
| 145+ | 97.87 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.37 грн |
| 10+ | 162.22 грн |
| 50+ | 136.16 грн |
| 100+ | 127.76 грн |
| 250+ | 119.35 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 292.38 грн |
| 58+ | 246.08 грн |
| 100+ | 231.52 грн |
| 250+ | 207.95 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.87 грн |
| 50+ | 155.17 грн |
| 100+ | 141.11 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 314.46 грн |
| 10+ | 167.82 грн |
| 100+ | 147.45 грн |
| 500+ | 121.79 грн |
| 1000+ | 108.23 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.90 грн |
| 10+ | 163.82 грн |
| 100+ | 120.10 грн |
| 500+ | 109.63 грн |
| 1000+ | 104.04 грн |
| 2000+ | 101.95 грн |
| 5000+ | 101.25 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 461.35 грн |
| 10+ | 242.46 грн |
| 100+ | 192.39 грн |
| IRF644SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)