Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > IRF644STRRPBF
IRF644STRRPBF

IRF644STRRPBF Vishay Semiconductors

sihf644s.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.76 грн
10+204.63 грн
100+138.99 грн
500+110.73 грн
800+106.15 грн
2400+104.62 грн
4800+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF644STRRPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF644STRRPBF за ціною від 151.84 грн до 335.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.39 грн
10+213.91 грн
100+151.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Виробник : Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Виробник : Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF Виробник : VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.