на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 123.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF644STRRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF644STRRPBF за ціною від 115.06 грн до 288.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF644STRRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF644STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF644STRRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF644STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF644STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF644STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 56A Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRF644STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF644STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 56A Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |