Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

Name: IRF7103TRPBF
Brand: IR
SKU: 19112
Price: 27.5 UAH
Availability: InStock

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6

Код товару: 19112

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD

у наявності 23 шт:

3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса

Кількість	Ціна
1+	27.50 грн
10+	24.80 грн
100+	21.80 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBF IR

MOSFET
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:Dual N Channel
Drain Source Voltage, Vds:50V
Continuous Drain Current, Id:3A
On Resistance, Rds(on):130mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 13.56 грн до 82.53 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	18.57 грн
8000+	17.50 грн
12000+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON

IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	28.52 грн
12000+	25.78 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 39938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
417+	29.35 грн
418+	29.27 грн
538+	22.75 грн
1000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
339+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 339

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	43.84 грн
18+	33.77 грн
25+	33.54 грн
100+	24.31 грн
250+	22.31 грн
500+	19.14 грн
1000+	17.07 грн
3000+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 180904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	51.73 грн
250+	39.83 грн
1000+	28.39 грн
2000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 180904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	52.33 грн
50+	51.73 грн
250+	39.83 грн
1000+	28.39 грн
2000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®

на замовлення 2036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	68.77 грн
50+	41.04 грн
65+	14.55 грн
178+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf

MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A

на замовлення 28058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	78.74 грн
10+	52.59 грн
100+	32.52 грн
500+	26.34 грн
1000+	23.90 грн
2000+	20.69 грн
4000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 18145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	80.94 грн
10+	48.91 грн
100+	32.07 грн
500+	23.30 грн
1000+	21.12 грн
2000+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 2036 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	82.53 грн
50+	51.14 грн
65+	17.46 грн
178+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

IRF7342TRPBF
Код товару: 31772

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD

у наявності: 218 шт

159 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	30.00 грн
10+	27.00 грн
100+	24.30 грн

В кошику од. на суму грн.

NDS9948
Код товару: 100660

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Монтаж: SMD

у наявності: 364 шт

27 шт - РАДІОМАГ-Львів
308 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса

Кількість	Ціна
1+	20.00 грн
10+	17.90 грн
100+	16.00 грн

В кошику од. на суму грн.

P6KE27A
Код товару: 29918

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT

у наявності: 471 шт

117 шт - склад
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
79 шт - РАДІОМАГ-Одеса
86 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
3+	4.00 грн
10+	3.20 грн
100+	2.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BZV55-C6V8
Код товару: 30129

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K

у наявності: 573 шт

380 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
5+	2.00 грн
10+	1.40 грн
100+	1.00 грн
1000+	0.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF7309PBF
Код товару: 36562

Додати до обраних Обраний товар

irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD

у наявності: 136 шт

103 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків

Кількість	Ціна
1+	22.00 грн
10+	19.80 грн
100+	17.90 грн

В кошику од. на суму грн.