Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 204 шт
  • 162 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 15.77 грн до 82.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.70 грн
8000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.02 грн
8000+22.12 грн
12000+21.42 грн
20000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.02 грн
8000+22.12 грн
12000+21.42 грн
20000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.86 грн
8000+25.81 грн
12000+24.77 грн
20000+22.75 грн
28000+20.45 грн
40000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.39 грн
8+54.06 грн
10+45.77 грн
20+36.82 грн
50+27.11 грн
100+22.34 грн
200+19.50 грн
250+18.91 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.08 грн
10+44.73 грн
100+29.24 грн
500+21.16 грн
1000+19.13 грн
2000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.54 грн
14+56.42 грн
100+38.90 грн
500+29.47 грн
1000+24.68 грн
2000+21.54 грн
4000+19.63 грн
8000+18.14 грн
12000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.54 грн
251+56.42 грн
363+38.90 грн
500+29.47 грн
1000+24.68 грн
2000+21.54 грн
4000+19.63 грн
8000+18.14 грн
12000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 174736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 174736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.70 грн
8000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.02 грн
8000+22.12 грн
12000+21.42 грн
20000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.02 грн
8000+22.12 грн
12000+21.42 грн
20000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.86 грн
8000+25.81 грн
12000+24.77 грн
20000+22.75 грн
28000+20.45 грн
40000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.39 грн
8+54.06 грн
10+45.77 грн
20+36.82 грн
50+27.11 грн
100+22.34 грн
200+19.50 грн
250+18.91 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.08 грн
10+44.73 грн
100+29.24 грн
500+21.16 грн
1000+19.13 грн
2000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.54 грн
14+56.42 грн
100+38.90 грн
500+29.47 грн
1000+24.68 грн
2000+21.54 грн
4000+19.63 грн
8000+18.14 грн
12000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+82.54 грн
251+56.42 грн
363+38.90 грн
500+29.47 грн
1000+24.68 грн
2000+21.54 грн
4000+19.63 грн
8000+18.14 грн
12000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 174736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 174736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NDS9948
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар
nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 250 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 394/9
Монтаж: SMD
у наявності: 279 шт
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 257 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306
Код товару: 3760
Додати до обраних Обраний товар
description irf7306.pdf
IRF7306
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 440/25
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 160 шт
  • 127 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA6V1L
Код товару: 424
2 Додати до обраних Обраний товар
d3e7f58934789r3.pdf
ESDA6V1L
Виробник: MCC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SOT-23
Пікова потужність, P, Вт: 300 Вт
Напруга пробою, Vbr: 6,65 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 5,25 В
Струм витоку, Irm: 20 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
Код УКТЗЕД: 8541 10 00 90
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 14111
Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 10.08.2026
на замовлення: 261 шт
  • 261 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.70 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.