IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Виробник: IRUds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 398 шт:
276 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27.5 грн |
10+ | 24.8 грн |
100+ | 21.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7103TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:50V
- Continuous Drain Current, Id:3A
- On Resistance, Rds(on):130mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 12.5 грн до 82.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 206099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 206099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 16079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A |
на замовлення 47148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 41378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF7342TRPBF Код товару: 31772 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 85 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
NDS9948 Код товару: 100660 |
у наявності: 415 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung) Код товару: 72199 |
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 15469 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2 грн |
100+ | 1.9 грн |
1000+ | 1.7 грн |
10000+ | 1.5 грн |
33nF 50V X7R 5% 1206 4k/reel (C1206B333J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 16351 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 33 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 33 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
у наявності: 91 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1.1 грн |
P6KE27A Код товару: 29918 |
Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
у наявності: 776 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.2 грн |
100+ | 2.7 грн |