IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 256 шт:
208 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27.50 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| 100+ | 21.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7103TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:50V
- Continuous Drain Current, Id:3A
- On Resistance, Rds(on):130mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 14.75 грн до 80.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 176055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® |
на замовлення 4795 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 11930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 176055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Виробник : International Rectifier |
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| IRF7103TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| NDS9948 Код товару: 100660
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 318 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
283 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
283 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 17.90 грн |
| 100+ | 16.00 грн |
| IRF7306 Код товару: 3760
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| ESDA6V1L Код товару: 424
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MCC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SOT-23
Пікова потужність: 300 W
Напруга пробою, Vbr: 6,65 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 5,25 V
Струм витоку, Irm: 20 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SOT-23
Пікова потужність: 300 W
Напруга пробою, Vbr: 6,65 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 5,25 V
Струм витоку, Irm: 20 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 14111
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
товару немає в наявності
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| TNY280PN Код товару: 24038
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-7
Призначення і характеристики: AC/DC Switching
Напруга вхідна, V: 50...700 V
Iвых., A: 750 mA
Fosc, kHz: 132 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-7
Призначення і характеристики: AC/DC Switching
Напруга вхідна, V: 50...700 V
Iвых., A: 750 mA
Fosc, kHz: 132 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 172 шт
96 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 101.00 грн |
| 10+ | 89.10 грн |











