Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 240 шт
  • 198 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 16.46 грн до 94.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.11 грн
12000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.82 грн
8000+20.36 грн
12000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.75 грн
8000+29.19 грн
12000+28.32 грн
20000+24.67 грн
28000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.84 грн
8000+29.28 грн
12000+28.41 грн
20000+24.74 грн
28000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.56 грн
250+27.54 грн
1000+21.11 грн
2000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.40 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.51 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.70 грн
50+37.56 грн
250+27.54 грн
1000+21.11 грн
2000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.74 грн
293+48.50 грн
500+38.62 грн
1000+33.83 грн
2000+28.62 грн
4000+24.51 грн
8000+23.34 грн
12000+23.10 грн
20000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.70 грн
8+54.30 грн
10+45.98 грн
20+36.98 грн
50+27.23 грн
100+22.44 грн
200+19.58 грн
250+19.00 грн
500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.27 грн
10+56.81 грн
100+37.29 грн
500+27.10 грн
1000+24.56 грн
2000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+17.11 грн
12000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+22.82 грн
8000+20.36 грн
12000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+30.75 грн
8000+29.19 грн
12000+28.32 грн
20000+24.67 грн
28000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+30.84 грн
8000+29.28 грн
12000+28.41 грн
20000+24.74 грн
28000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+37.56 грн
250+27.54 грн
1000+21.11 грн
2000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+41.40 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+41.51 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+56.70 грн
50+37.56 грн
250+27.54 грн
1000+21.11 грн
2000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
207+68.74 грн
293+48.50 грн
500+38.62 грн
1000+33.83 грн
2000+28.62 грн
4000+24.51 грн
8000+23.34 грн
12000+23.10 грн
20000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+69.70 грн
8+54.30 грн
10+45.98 грн
20+36.98 грн
50+27.23 грн
100+22.44 грн
200+19.58 грн
250+19.00 грн
500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.27 грн
10+56.81 грн
100+37.29 грн
500+27.10 грн
1000+24.56 грн
2000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NDS9948
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар
nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 288 шт
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 266 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306
Код товару: 3760
Додати до обраних Обраний товар
description irf7306.pdf
IRF7306
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA6V1L
Код товару: 424
2 Додати до обраних Обраний товар
d3e7f58934789r3.pdf
ESDA6V1L
Виробник: MCC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SOT-23
Пікова потужність: 300 W
Напруга пробою, Vbr: 6,65 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 5,25 V
Струм витоку, Irm: 20 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 14111
Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.70 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TNY280PN
Код товару: 24038
Додати до обраних Обраний товар
tny274-280-4065 (1).pdf
TNY280PN
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-7
Призначення і характеристики: AC/DC Switching
Напруга вхідна, V: 50...700 V
Iвых., A: 750 mA
Fosc, kHz: 132 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 167 шт
  • 94 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+101.00 грн
10+89.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.