IRF7103TRPBF

Код товару: 19112
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD

в наявності: 675 шт
Технічний опис IRF7103TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:50V
- Continuous Drain Current, Id:3A
- On Resistance, Rds(on):130mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 12.34 грн до 83.29 грн
IRF7103TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25; Qg, нКл = 30 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8 ![]() |
на замовлення 40 шт ![]() термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) ![]() |
на замовлення 240 шт ![]() термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A ![]() |
на замовлення 86311 шт ![]() термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES Material: IRF7103TRPBF Multi channel transistors ![]() |
на замовлення 3152 шт ![]() термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 1007 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 212000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 212000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active ![]() |
на замовлення 4000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 3080 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 1500 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 3080 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 1500 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R ![]() |
на замовлення 41884 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active ![]() |
на замовлення 6919 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) ![]() |
на замовлення 126996 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
NDS9948 Код товару: 100660 |
![]() |

Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 250 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 394/9
10 шт - РАДІОМАГ-КиївТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 250 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 394/9
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
350 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 540 шт - ціна та термін постачання
|
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17834 |
![]() |

Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
L78L05ABD13TR Код товару: 30679 |
![]() |
![]() |

Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO-8
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Монтаж: SMD
4313 шт - склад КиївМікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO-8
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Монтаж: SMD
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
32 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - очікується
на замовлення 82481 шт - ціна та термін постачання
|
IRF7309PBF Код товару: 36562 |
![]() |
![]() |

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
180 шт - склад КиївТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 1 шт - ціна та термін постачання
|
1uF 50V X7R 10% C1206 2k/reel (C1206B105K500N2-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 153938 |
![]() |

Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
1 шт - РАДІОМАГ-ХарківКерамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
612 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12000 шт - очікується
|