
IRF7103TRPBF

Код товару: 19112
Виробник: IRUds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 133 шт:
14 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Одеса
54 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.50 грн |
10+ | 24.80 грн |
100+ | 21.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7103TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:50V
- Continuous Drain Current, Id:3A
- On Resistance, Rds(on):130mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 13.08 грн до 88.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 193669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 193669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 4069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 13786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4069 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 39938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRF7342TRPBF Код товару: 31772
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 223 шт
169 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 30.00 грн |
10+ | 27.00 грн |
100+ | 24.30 грн |
NDS9948 Код товару: 100660
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 386 шт
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
319 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
319 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
10+ | 17.90 грн |
100+ | 16.00 грн |
P6KE27A Код товару: 29918
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
у наявності: 721 шт
367 шт - склад
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
79 шт - РАДІОМАГ-Одеса
86 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
79 шт - РАДІОМАГ-Одеса
86 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 4.00 грн |
10+ | 3.20 грн |
100+ | 2.70 грн |
BZV55-C6V8 Код товару: 30129
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
у наявності: 683 шт
430 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.40 грн |
100+ | 1.00 грн |
1000+ | 0.80 грн |
IRF7309PBF Код товару: 36562
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 162 шт
129 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.00 грн |
10+ | 19.80 грн |
100+ | 17.90 грн |