Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Код товару: 19112
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 23 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 13.62 грн до 91.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.61 грн
8000+17.54 грн
12000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.59 грн
12000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+46.75 грн
393+31.22 грн
500+29.01 грн
1000+27.90 грн
4000+21.82 грн
8000+19.76 грн
16000+18.78 грн
32000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
252+48.84 грн
363+33.78 грн
367+33.47 грн
500+25.45 грн
1000+19.62 грн
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.86 грн
250+39.92 грн
1000+28.46 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.46 грн
50+51.86 грн
250+39.92 грн
1000+28.46 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.53 грн
14+45.73 грн
25+45.35 грн
100+30.25 грн
250+27.75 грн
500+21.01 грн
1000+17.49 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.41 грн
7+57.72 грн
50+33.32 грн
65+14.59 грн
177+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
на замовлення 28058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.93 грн
10+52.72 грн
100+32.60 грн
500+26.40 грн
1000+23.95 грн
2000+20.74 грн
4000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 18145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.13 грн
10+49.03 грн
100+32.14 грн
500+23.36 грн
1000+21.17 грн
2000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.69 грн
5+71.93 грн
50+39.99 грн
65+17.51 грн
177+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар

irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 218 шт
159 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар

nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 364 шт
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
308 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE27A
Код товару: 29918
Додати до обраних Обраний товар

p6ke-955098.pdf
P6KE27A
Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
у наявності: 447 шт
113 шт - склад
69 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
79 шт - РАДІОМАГ-Одеса
86 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.20 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C6V8
Код товару: 30129
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C6V8
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
у наявності: 453 шт
300 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
60 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.40 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF
Код товару: 36562
Додати до обраних Обраний товар

description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 136 шт
103 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.