Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

Name: IRF7103TRPBF
Brand: IR
SKU: 19112
Price: 27.50 UAH
Availability: InStock

Код товару: 19112

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD

у наявності 258 шт:

208 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	27.50 грн
10+	24.80 грн
100+	21.80 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBF IR

MOSFET
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:Dual N Channel
Drain Source Voltage, Vds:50V
Continuous Drain Current, Id:3A
On Resistance, Rds(on):130mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 14.03 грн до 82.92 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON

IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	19.08 грн
12000+	18.35 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	20.17 грн
8000+	18.00 грн
12000+	17.27 грн
20000+	15.45 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	27.92 грн
8000+	25.66 грн
12000+	24.84 грн
20000+	22.89 грн
28000+	20.58 грн
40000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	33.70 грн
1000+	30.62 грн
2000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	36.44 грн
1000+	33.11 грн
2000+	30.30 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®

на замовлення 5424 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	37.31 грн
14+	30.67 грн
100+	23.66 грн
250+	20.28 грн
500+	17.66 грн
1000+	15.21 грн
4000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 177140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	49.39 грн
250+	34.40 грн
1000+	23.50 грн
2000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IRF7103-DataSheet-v01_01-EN.pdf

MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	68.30 грн
10+	42.79 грн
100+	26.96 грн
500+	21.55 грн
1000+	19.59 грн
2000+	17.83 грн
4000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 177140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	81.24 грн
50+	49.39 грн
250+	34.40 грн
1000+	23.50 грн
2000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 23544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	82.92 грн
10+	50.27 грн
100+	32.98 грн
500+	23.97 грн
1000+	21.72 грн
2000+	19.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

IRF7306
Код товару: 3760

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

Кількість	Ціна
1+	20.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NDS9948
Код товару: 100660

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Монтаж: SMD

у наявності: 318 шт

13 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
283 шт - РАДІОМАГ-Харків

Кількість	Ціна
1+	20.00 грн
10+	17.90 грн
100+	16.00 грн

В кошику од. на суму грн.

ESDA6V1L
Код товару: 424

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: MCC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SOT-23
Пікова потужність: 300 W
Напруга пробою, Vbr: 6,65 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 5,25 V
Струм витоку, Irm: 20 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD

у наявності: 655 шт

524 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
5+	4.50 грн
10+	4.00 грн
100+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 14111

Додати до обраних Обраний товар

330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)

Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин

товару немає в наявності

очікується: 10000 шт

10000 шт - очікується

Кількість	Ціна
8+	2.50 грн
10+	2.10 грн
100+	1.70 грн
1000+	1.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TNY280PN
Код товару: 24038

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-7
Призначення і характеристики: AC/DC Switching
Напруга вхідна, V: 50...700 V
Iвых., A: 750 mA
Fosc, kHz: 132 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C

у наявності: 172 шт

96 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	101.00 грн
10+	89.10 грн

В кошику од. на суму грн.