на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 262+ | 44.44 грн |
| 500+ | 40.62 грн |
| 1000+ | 37.79 грн |
| 1500+ | 34.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF710PBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF710PBF-BE3 за ціною від 26.49 грн до 71.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF710PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF710PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF710PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |