IRF710PBF
Код товару: 22637
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF710PBF за ціною від 10.83 грн до 166.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF710PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF710PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 12.42 грн |
| 100+ | 12.30 грн |
| 500+ | 11.74 грн |
| 1000+ | 10.83 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1127+ | 12.55 грн |
| 1139+ | 12.42 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 67.40 грн |
| 50+ | 66.74 грн |
| 100+ | 54.89 грн |
| 500+ | 44.93 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 209+ | 67.73 грн |
| 211+ | 67.07 грн |
| 257+ | 55.15 грн |
| 500+ | 45.15 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.52 грн |
| 11+ | 42.17 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.68 грн |
| 10+ | 79.43 грн |
| 100+ | 47.36 грн |
| 500+ | 37.21 грн |
| 1000+ | 31.79 грн |
| 2000+ | 31.29 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.14 грн |
| 50+ | 65.32 грн |
| 100+ | 58.43 грн |
| 500+ | 43.48 грн |
| 1000+ | 39.83 грн |
| 2000+ | 36.76 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 146.37 грн |
| 12+ | 70.31 грн |
| 100+ | 60.93 грн |







