Продукція > VISHAY > IRF710SPBF
IRF710SPBF

IRF710SPBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3A497818180C7&compId=irf710s.pdf?ci_sign=64d8b56641704c645a58fa99c6edc905b206b6a6 Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.21 грн
26+34.39 грн
72+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF710SPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF710SPBF за ціною від 39.10 грн до 79.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF710SPBF IRF710SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3A497818180C7&compId=irf710s.pdf?ci_sign=64d8b56641704c645a58fa99c6edc905b206b6a6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.66 грн
26+42.86 грн
72+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBF IRF710SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf710s.pdf MOSFETs TO263 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.67 грн
25+75.19 грн
500+57.18 грн
1000+49.35 грн
2000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBF IRF710SPBF Виробник : Vishay sihf710s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBF IRF710SPBF Виробник : Vishay sihf710s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBF IRF710SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf710s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.