IRF720 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 950+ | 22.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF720 onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF720 за ціною від 17.00 грн до 25.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF720 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF720 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720PBF IRF720 TIRF720 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF720 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720PBF IRF720 TIRF720 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF720 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
IRF720 Код товару: 3059
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 400 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 410/20 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
 |
IRF720 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF720 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF720 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IRF720 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 |
товару немає в наявності |