IRF720
Код товару: 3059
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF720 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:3A
- On State Resistance:1.8ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:400V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:40W
- Power Dissipation Pd:40W
- Pulse Current Idm:12A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF720 за ціною від 25.87 грн до 29.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF720 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF720 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF720 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF720 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF720 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 790+ | 25.87 грн |
| IRF720 |
![]() |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 27.03 грн |
| IRF720 |
![]() |
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 27.03 грн |
| IRF720 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1190+ | 29.66 грн |
| 10000+ | 26.45 грн |




