IRF720
Код товару: 3059
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF720 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:3A
- On State Resistance:1.8ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:400V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:40W
- Power Dissipation Pd:40W
- Pulse Current Idm:12A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF720 за ціною від 21.29 грн до 29.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF720 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF720 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF720 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRF720 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF720 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF720 |
(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IRF720 | Виробник : Vishay |
(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
|
IRF720 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRF720 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 |
товару немає в наявності |


