
IRF720SPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.90 грн |
50+ | 79.12 грн |
100+ | 76.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF720SPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF720SPBF за ціною від 53.36 грн до 197.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF720SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF720SPBF |
![]() |
на замовлення 59800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF720SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF720SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF720SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRF720SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.3A; Idm: 13A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IRF720SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.3A; Idm: 13A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |