IRF730 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 243+ | 81.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF730 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF730 за ціною від 31.56 грн до 117.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF730 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF730 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF730 - IRF730, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF730 Код товару: 15294 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
 |
IRF730 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF730 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF730 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF730 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF730 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 400 Volt 5.5 A |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRF730 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF730PBF |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRF730 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товар відсутній |