Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF730 за ціною від 38.24 грн до 170.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF730 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF730 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF730 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL, MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
на замовлення 24533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 6306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 17307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF730 |
![]() |
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.24 грн |
| IRF730 |
![]() |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.24 грн |
| IRF730 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 120.16 грн |
| IRF730 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRF730
IRF730
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 207+ | 170.90 грн |
| IRF730 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRF730
IRF730
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 207+ | 170.90 грн |
| 500+ | 154.40 грн |
| 1000+ | 142.61 грн |




