Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF730 за ціною від 38.32 грн до 156.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF730 | Виробник : Siliconix |
 N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF730 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF730 | Виробник : Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
на замовлення 24533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF730 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF730 - IRF730, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | Виробник : HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | Виробник : HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 6306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | Виробник : HARRIS |
IRF730 |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 | Виробник : ON Semiconductor |
IRF730 |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF730 |
(MFET,N-CH,74W,400V,5.5A,TO220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IRF730 | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IRF730 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF730 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF730 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 400 Volt 5.5 A |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IRF730 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 |
товару немає в наявності |