на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 56.07 грн |
| 18+ | 34.49 грн |
| 25+ | 32.42 грн |
| 50+ | 29.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF730APBF Vishay
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF730APBF за ціною від 54.22 грн до 149.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF730APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF730APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF730APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF730APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF730APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF730APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF730APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRF730APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |