Продукція > VISHAY > IRF730ASPBF
IRF730ASPBF

IRF730ASPBF VISHAY

VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.56 грн
500+70.87 грн
1000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF730ASPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRF730ASPBF за ціною від 19.50 грн до 218.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.74 грн
50+99.63 грн
100+95.45 грн
500+72.48 грн
1000+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.76 грн
10+115.26 грн
100+104.56 грн
500+70.87 грн
1000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.34 грн
10+118.16 грн
100+92.47 грн
500+75.59 грн
1000+69.43 грн
2000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF
Код товару: 32240
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild sihf730a.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/22
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Виробник : Vishay sihf730a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Виробник : Vishay sihf730a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF Виробник : VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF Виробник : VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.