Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF730ASPBF Fairchild
IRF730ASPBF

IRF730ASPBF Fairchild

sihf730a.pdf
Код товару: 32240
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 5,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 600/22
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF730ASPBF за ціною від 63.99 грн до 214.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF730ASPBF IRF730ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.02 грн
500+70.67 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.94 грн
10+104.47 грн
100+94.02 грн
500+70.67 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.65 грн
50+102.66 грн
100+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+94.02 грн
500+70.67 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+208.94 грн
10+104.47 грн
100+94.02 грн
500+70.67 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
IRF730ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.65 грн
50+102.66 грн
100+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
IRF730ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.