на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.58 грн |
| 10+ | 76.80 грн |
| 100+ | 45.14 грн |
| 500+ | 38.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF730BPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IRF730BPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF730BPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF730BPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF730BPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
| IRF730BPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 13A; 104W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6A Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 104W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF730BPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| IRF730BPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 13A; 104W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6A Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 104W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |