IRF730PBF-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 5.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.17 грн |
| 12+ | 74.01 грн |
| 25+ | 70.06 грн |
| 50+ | 61.31 грн |
| 100+ | 53.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF730PBF-BE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF730PBF-BE3 за ціною від 37.85 грн до 178.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF730PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF730PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF730PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.53 грн |
| 10+ | 71.09 грн |
| 100+ | 50.96 грн |
| 500+ | 43.70 грн |
| 1000+ | 40.39 грн |
| 2000+ | 38.34 грн |
| 5000+ | 37.85 грн |
| IRF730PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.41 грн |
| 50+ | 84.10 грн |
| 100+ | 75.55 грн |
| 500+ | 56.85 грн |
| 1000+ | 52.34 грн |
| 2000+ | 48.54 грн |