IRF7311TRPBF
Код товару: 107584
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 900/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27.00 грн |
| 10+ | 24.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7311TRPBF за ціною від 26.93 грн до 60.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7311TRPBF | China replica |
SOIC-8 Транзистори |
на замовлення 225 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||
|
IRF7311TRPBF | International Rectifier |
SOIC-8 Транзистори |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||
|
IRF7311TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF7311TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF7311TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF7311TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRF7311TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: China replica
SOIC-8 Транзистори
SOIC-8 Транзистори
на замовлення 225 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.93 грн |
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
SOIC-8 Транзистори
SOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.69 грн |
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 55.03 грн |
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 55.36 грн |
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 60.55 грн |
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| PTFE трубка 1метр D4/2mm Код товару: 187423
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Корпусні та встановлювальні вироби > Механічні компоненти
Опис: PTFE трубка. Довжина 1 метр. Зовнішній діаметр: 4mm, внутрішній:2mm
Призначення: Для екструдера
Опис: PTFE трубка. Довжина 1 метр. Зовнішній діаметр: 4mm, внутрішній:2mm
Призначення: Для екструдера
у наявності: 22 шт
- 19 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.00 грн |
| 100+ | 42.50 грн |
| IRF7313TRPBF Код товару: 23579
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 229 шт
- 163 шт - склад
- 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23.00 грн |
| 10+ | 20.70 грн |
| 100+ | 18.50 грн |








