IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 239 шт:
173 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23.00 грн |
| 10+ | 20.70 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7313TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:6.5A
- On Resistance, Rds(on):29mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7313TRPBF за ціною від 19.03 грн до 87.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® |
на замовлення 3376 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 54713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF7313TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7313TRPBF |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 21.36 грн |
| 8000+ | 19.08 грн |
| 12000+ | 19.03 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.20 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 70.20 грн |
| 10+ | 44.19 грн |
| 100+ | 30.47 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 54713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.45 грн |
| 10+ | 51.35 грн |
| 100+ | 33.78 грн |
| 500+ | 24.60 грн |
| 1000+ | 22.32 грн |
| 2000+ | 20.39 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 162+ | 87.24 грн |
| 234+ | 60.54 грн |
| 335+ | 42.25 грн |
| 500+ | 32.30 грн |
| 1000+ | 27.13 грн |
| 2000+ | 23.77 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 19.38 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній Код товару: 88555
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
у наявності: 683 шт
586 шт - склад
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
5 шт
5 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.24 грн |
| 1000+ | 2.92 грн |
| IRF7389PBF Код товару: 25148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 37 шт
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| MC33063ADR Код товару: 36210
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 1,5 A
Fosc, kHz: 100 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 1,5 A
Fosc, kHz: 100 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 641 шт
579 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |
| Макетна плата 2x8 двостороння, зелена Код товару: 144385
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
товару немає в наявності
очікується:
3000 шт
3000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| Кабельна стяжка 3x100мм 100шт. Код товару: 180623
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Ruicheng
Кріплення та металеві вироби > Кабельні стяжки
Опис: Кабельна стяжка нейлонова, упаковка 100 штук
Довжина, мм: 100
Ширина, мм: 3
Матеріал: Нейлон
Кріплення та металеві вироби > Кабельні стяжки
Опис: Кабельна стяжка нейлонова, упаковка 100 штук
Довжина, мм: 100
Ширина, мм: 3
Матеріал: Нейлон
у наявності: 1660 упаковка
1593 упаковка - склад
11 упаковка - РАДІОМАГ-Київ
40 упаковка - РАДІОМАГ-Львів
5 упаковка - РАДІОМАГ-Харків
11 упаковка - РАДІОМАГ-Дніпро
11 упаковка - РАДІОМАГ-Київ
40 упаковка - РАДІОМАГ-Львів
5 упаковка - РАДІОМАГ-Харків
11 упаковка - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 упаковка
2000 упаковка - очікується 02.09.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.50 грн |
| 100+ | 23.00 грн |












