IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 356 шт:
283 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 23 грн |
10+ | 20.7 грн |
100+ | 18.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7313TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:6.5A
- On Resistance, Rds(on):29mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7313TRPBF за ціною від 17.92 грн до 62.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 6870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 13966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A |
на замовлення 11479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
KBU810 (діодний міст) Код товару: 172120 |
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBU
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 8 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KBU8005, KBU801, KBU802, KBU804, KBU806, KBU808, KBU8A, KBU8B, KBU8D, KBU8G, KBU8J, KBU8K, KBU8M, KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6K, KBU6M, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU610, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 300 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBU
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 8 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KBU8005, KBU801, KBU802, KBU804, KBU806, KBU808, KBU8A, KBU8B, KBU8D, KBU8G, KBU8J, KBU8K, KBU8M, KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6K, KBU6M, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU610, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 300 A
у наявності: 949 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13.5 грн |
10+ | 11.6 грн |
100+ | 10.2 грн |
LM324D Код товару: 177485 |
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-14
Vc, V: ±16 V
Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
Корпус: SO-14
Vc, V: ±16 V
Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
у наявності: 593 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD) Код товару: 1215 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 7849 шт
очікується:
45000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
SS14 Код товару: 1577 |
Виробник: YJ/MIC/Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
у наявності: 7200 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 0.9 грн |
13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-13K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1221 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 13 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 13 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 15779 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |