Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7313TRPBF
IRF7313TRPBF

IRF7313TRPBF

irf7313 -datasheet.pdf
Код товару: 23579
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 248 шт:
178 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7313TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:6.5A
  • On Resistance, Rds(on):29mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7313TRPBF за ціною від 15.09 грн до 102.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.03 грн
8000+16.99 грн
12000+16.32 грн
20000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.36 грн
8000+29.08 грн
12000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.17 грн
1000+29.86 грн
2000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+35.41 грн
1000+31.88 грн
2000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.92 грн
10+45.13 грн
100+30.17 грн
250+25.93 грн
500+23.44 грн
1000+21.20 грн
2000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 53648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.68 грн
10+46.98 грн
100+30.93 грн
500+22.53 грн
1000+20.44 грн
2000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.71 грн
10+56.24 грн
100+36.21 грн
250+31.12 грн
500+28.13 грн
1000+25.43 грн
2000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+102.05 грн
203+64.46 грн
500+44.92 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS18060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7389PBF
Код товару: 25148
Додати до обраних Обраний товар

description IRF7389PBF.pdf
IRF7389PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 49 шт
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
4+16.00 грн
10+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC33063ADR
Код товару: 36210
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fmc33063a
MC33063ADR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 1,5 A
Fosc, kHz: 100 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 667 шт
635 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Кабельна стяжка 3x100мм 100шт.
Код товару: 180623
Додати до обраних Обраний товар

Кабельна стяжка 3x100мм 100шт.
Виробник: Ruicheng
Кріплення та металеві вироби > Кабельні стяжки
Опис: Кабельна стяжка нейлонова, упаковка 100 штук
Довжина, мм: 100
Ширина, мм: 3
Матеріал: Нейлон
у наявності: 1174 упаковка
1144 упаковка - склад
15 упаковка - РАДІОМАГ-Київ
9 упаковка - РАДІОМАГ-Львів
6 упаковка - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2030 упаковка
30 упаковка - очікується
2000 упаковка - очікується 28.04.2026
Кількість Ціна
4+13.00 грн
10+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
62 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-62K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1256
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
62 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-62K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 62 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 33640 шт
26340 шт - склад
1350 шт - РАДІОМАГ-Київ
1150 шт - РАДІОМАГ-Харків
4800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
500+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 1253
Додати до обраних Обраний товар

BC847C.pdf
BC847C (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
у наявності: 10365 шт
8536 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
1295 шт - РАДІОМАГ-Львів
165 шт - РАДІОМАГ-Харків
335 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
34+1.50 грн
56+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.