IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 229 шт
- 163 шт - склад
- 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 31 шт
- 31 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23.00 грн |
| 10+ | 20.70 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7313TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:6.5A
- On Resistance, Rds(on):29mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7313TRPBF за ціною від 16.87 грн до 78.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
на замовлення 300 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel Case: SO8 |
на замовлення 3374 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 41845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF7313TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF7313TRPBF |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 19.32 грн |
| 8000+ | 17.23 грн |
| 12000+ | 16.87 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.92 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.75 грн |
| 12+ | 36.98 грн |
| 100+ | 29.77 грн |
| 250+ | 28.11 грн |
| 500+ | 27.03 грн |
| 1000+ | 26.12 грн |
| 2000+ | 25.21 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.87 грн |
| 100+ | 50.57 грн |
| 500+ | 39.24 грн |
| 1000+ | 34.32 грн |
| 2000+ | 29.04 грн |
| 4000+ | 26.39 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 76.87 грн |
| 280+ | 50.57 грн |
| 500+ | 39.24 грн |
| 1000+ | 34.32 грн |
| 2000+ | 29.04 грн |
| 4000+ | 26.39 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.27 грн |
| 10+ | 47.16 грн |
| 100+ | 30.85 грн |
| 500+ | 22.38 грн |
| 1000+ | 20.27 грн |
| 2000+ | 18.48 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 19.38 грн |
| IRF7313TRPBF |
![]() |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній Код товару: 88555
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
у наявності: 138 шт
- 70 шт - склад
- 45 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 23 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 1005 шт
- 1000 шт - очікується 28.07.2026
- 5 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.24 грн |
| 1000+ | 2.92 грн |
| IRF7389PBF Код товару: 25148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3/5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3/5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| MC33063ADR Код товару: 36210
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC імпульсні регулятори, підвищувальний/знижувальний/інвертувальний ключ
Напруга вхідна, В: 40 В
Iвих., А: 1,5 А
Частота Fosc, кГц: 100 кГц
Темп. діапазон: -40…+85°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC імпульсні регулятори, підвищувальний/знижувальний/інвертувальний ключ
Напруга вхідна, В: 40 В
Iвих., А: 1,5 А
Частота Fosc, кГц: 100 кГц
Темп. діапазон: -40…+85°С
у наявності: 551 шт
- 489 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |
| 4,7nF 1000V X7R 10% 1206 2k/reel (C1206B472K102N2-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 43266
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 нФ
Номін.напруга: 1000 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 нФ
Номін.напруга: 1000 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 319 шт
- 313 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| Макетна плата 2x8 двостороння, зелена Код товару: 144385
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 20x80 мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 20x80 мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
товару немає в наявності
очікується: 6000 шт
- 3000 шт - очікується 30.09.2026
- 3000 шт - очікується 14.01.2027
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |












