Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7313TRPBF
IRF7313TRPBF

IRF7313TRPBF

irf7313 -datasheet.pdf
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 210 шт
  • 153 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 31 шт
  • 31 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7313TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:6.5A
  • On Resistance, Rds(on):29mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7313TRPBF за ціною від 18.77 грн до 91.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.23 грн
12000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.67 грн
12000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.85 грн
12000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF International Rectifier irf7313pbf.pdf description SO-8 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
27+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
15+29.02 грн
50+25.08 грн
100+24.07 грн
250+23.06 грн
500+22.22 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 49731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.57 грн
50+34.42 грн
100+28.60 грн
500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.47 грн
13+62.65 грн
50+47.98 грн
100+41.23 грн
500+30.02 грн
4000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.47 грн
226+62.65 грн
295+47.98 грн
331+41.23 грн
500+30.02 грн
4000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.23 грн
12000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.67 грн
12000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.85 грн
12000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.87 грн
15+29.02 грн
50+25.08 грн
100+24.07 грн
250+23.06 грн
500+22.22 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 49731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.81 грн
10+46.57 грн
50+34.42 грн
100+28.60 грн
500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.47 грн
13+62.65 грн
50+47.98 грн
100+41.23 грн
500+30.02 грн
4000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+91.47 грн
226+62.65 грн
295+47.98 грн
331+41.23 грн
500+30.02 грн
4000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Код товару: 88555
11 Додати до обраних Обраний товар
Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
у наявності: 122 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 45 шт
  • 5 шт - очікується
  • 40 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.10 грн
100+3.24 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF
Код товару: 25148
Додати до обраних Обраний товар
description IRF7389PBF.pdf
IRF7389PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3/5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
10+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF
Код товару: 31944
4 Додати до обраних Обраний товар
irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,117 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 420 шт
  • 363 шт - склад
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC33063ADR
Код товару: 36210
3 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fmc33063a
MC33063ADR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC імпульсні регулятори, підвищувальний/знижувальний/інвертувальний ключ
Напруга вхідна, В: 40 В
Iвих., А: 1,5 А
Частота Fosc, кГц: 100 кГц
Темп. діапазон: -40…+85°С
у наявності: 472 шт
  • 427 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 1000V X7R 10% 1206 2k/reel (C1206B472K102N2-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 43266
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
4,7nF 1000V X7R 10% 1206 2k/reel (C1206B472K102N2-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 нФ
Номін.напруга: 1000 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 319 шт
  • 313 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.90 грн
100+1.70 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.