IRF7313PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 624 грн |
| 10+ | 62.4 грн |
| 100+ | 20.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7313PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Можливі заміни IRF7313PBF International Rectifier/Infineon
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7313TRPBF Код товару: 23579 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 6,5 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 650/22 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 356 шт
|
|
Інші пропозиції IRF7313PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7313PBF Код товару: 122873 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 6,5 A Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 650/22 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|
 |
IRF7313PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |
|
 |
IRF7313PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC |
товар відсутній |
|
 |
IRF7313PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |