Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7389PBF
IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Код товару: 25148
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 37 шт:
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
2+16.00 грн
10+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 20.47 грн до 108.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.18 грн
8000+24.37 грн
12000+23.45 грн
20000+21.04 грн
28000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.98 грн
1000+32.32 грн
2000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.98 грн
1000+32.33 грн
2000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.72 грн
8000+34.16 грн
12000+33.22 грн
20000+30.64 грн
28000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.72 грн
8000+34.16 грн
12000+33.22 грн
20000+30.65 грн
28000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+47.66 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.09 грн
250+49.23 грн
1000+32.61 грн
2000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.61 грн
228+62.16 грн
500+48.65 грн
1000+42.71 грн
2000+36.28 грн
4000+32.19 грн
8000+29.97 грн
12000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.84 грн
50+66.70 грн
250+44.31 грн
1000+29.33 грн
2000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.60 грн
10+65.22 грн
100+43.32 грн
500+31.82 грн
1000+28.97 грн
2000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.30 грн
10+67.29 грн
100+38.89 грн
500+30.45 грн
1000+27.71 грн
2000+25.46 грн
4000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+27.18 грн
8000+24.37 грн
12000+23.45 грн
20000+21.04 грн
28000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+33.98 грн
1000+32.32 грн
2000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+33.98 грн
1000+32.33 грн
2000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+34.72 грн
8000+34.16 грн
12000+33.22 грн
20000+30.64 грн
28000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+34.72 грн
8000+34.16 грн
12000+33.22 грн
20000+30.65 грн
28000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
741+47.66 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+74.09 грн
250+49.23 грн
1000+32.61 грн
2000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
151+93.61 грн
228+62.16 грн
500+48.65 грн
1000+42.71 грн
2000+36.28 грн
4000+32.19 грн
8000+29.97 грн
12000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+105.84 грн
50+66.70 грн
250+44.31 грн
1000+29.33 грн
2000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.60 грн
10+65.22 грн
100+43.32 грн
500+31.82 грн
1000+28.97 грн
2000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.30 грн
10+67.29 грн
100+38.89 грн
500+30.45 грн
1000+27.71 грн
2000+25.46 грн
4000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар
description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 239 шт
173 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
Код товару: 110161
14 Додати до обраних Обраний товар
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
Виробник: AG TermoPasty
Хімія > Захисні покриття
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50мл
товару немає в наявності
очікується: 1005 шт
5 шт - очікується
1000 шт - очікується 27.07.2026
КількістьЦіна
1+160.00 грн
10+144.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2933
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 719 шт
270 шт - склад
120 шт - РАДІОМАГ-Київ
135 шт - РАДІОМАГ-Львів
94 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2617
1 Додати до обраних Обраний товар
ELP_080522.pdf
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 30х50mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 58 шт
45 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+145.00 грн
10+133.00 грн
100+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2461
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 6800 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х32mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 219 шт
200 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
2+17.00 грн
10+15.20 грн
100+13.70 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.