Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7389PBF
IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Код товару: 25148
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3/5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
10+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 16.83 грн до 107.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.44 грн
8000+20.06 грн
12000+19.28 грн
20000+17.26 грн
28000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.94 грн
8000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.94 грн
8000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.46 грн
8000+28.96 грн
12000+28.12 грн
20000+25.89 грн
28000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.52 грн
8000+29.02 грн
12000+28.18 грн
20000+25.95 грн
28000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
896+39.50 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 896 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 35157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+55.00 грн
100+36.27 грн
500+26.48 грн
1000+24.04 грн
2000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.16 грн
11+73.19 грн
100+49.89 грн
500+37.97 грн
1000+33.06 грн
2000+29.22 грн
4000+26.43 грн
8000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.16 грн
194+73.19 грн
284+49.89 грн
500+37.97 грн
1000+33.06 грн
2000+29.22 грн
4000+26.43 грн
8000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+22.44 грн
8000+20.06 грн
12000+19.28 грн
20000+17.26 грн
28000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.94 грн
8000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.94 грн
8000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.46 грн
8000+28.96 грн
12000+28.12 грн
20000+25.89 грн
28000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.52 грн
8000+29.02 грн
12000+28.18 грн
20000+25.95 грн
28000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
896+39.50 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 896 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 35157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.66 грн
10+55.00 грн
100+36.27 грн
500+26.48 грн
1000+24.04 грн
2000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.16 грн
11+73.19 грн
100+49.89 грн
500+37.97 грн
1000+33.06 грн
2000+29.22 грн
4000+26.43 грн
8000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+107.16 грн
194+73.19 грн
284+49.89 грн
500+37.97 грн
1000+33.06 грн
2000+29.22 грн
4000+26.43 грн
8000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар
description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 229 шт
  • 163 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 31 шт
  • 31 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
Код товару: 110161
15 Додати до обраних Обраний товар
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
Виробник: AG TermoPasty
Хімія > Захисні покриття
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50 мл
у наявності: 462 шт
  • 424 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+160.00 грн
10+144.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2933
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 784 шт
  • 415 шт - склад
  • 105 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 120 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 94 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 01.11.2026
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2617
1 Додати до обраних Обраний товар
ELP_080522.pdf
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 400 В
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°С
Габарити: 30x50 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 56 шт
  • 43 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+145.00 грн
10+133.00 грн
100+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2461
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 6800 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x32 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 216 шт
  • 202 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+17.00 грн
10+15.20 грн
100+13.70 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.