IRF7389PBF
Код товару: 25148
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3/5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7389PBF IR
- MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:NP
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:7.3A
- On State Resistance:0.046ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Cont Current Id P Channel:5.3A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.029ohm
- Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- Min Voltage Vgs th:1V
- Min Voltage Vgs th P Channel:1V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation P Channel 2:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:30A
- Pulse Current Idm P Channel:30A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7389
- Transistor Case Style:SOIC
Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 20.30 грн до 118.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 35167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 13710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 13710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A |
на замовлення 5255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF7389TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 26.32 грн |
| 8000+ | 23.60 грн |
| 12000+ | 22.71 грн |
| 20000+ | 20.37 грн |
| 28000+ | 20.30 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 33.90 грн |
| 8000+ | 33.57 грн |
| 12000+ | 33.22 грн |
| 20000+ | 31.72 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 34.32 грн |
| 8000+ | 33.99 грн |
| 12000+ | 33.64 грн |
| 20000+ | 32.11 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 34.38 грн |
| 1000+ | 32.73 грн |
| 2000+ | 30.92 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 34.81 грн |
| 1000+ | 33.14 грн |
| 2000+ | 31.32 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 741+ | 47.66 грн |
| 1000+ | 43.94 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 35167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.61 грн |
| 10+ | 63.14 грн |
| 100+ | 41.94 грн |
| 500+ | 30.81 грн |
| 1000+ | 28.05 грн |
| 2000+ | 25.73 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.81 грн |
| 10+ | 81.72 грн |
| 100+ | 57.48 грн |
| 500+ | 44.50 грн |
| 1000+ | 37.83 грн |
| 2000+ | 32.07 грн |
| 4000+ | 27.68 грн |
| 8000+ | 27.42 грн |
| 12000+ | 27.14 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 118.62 грн |
| 172+ | 82.28 грн |
| 244+ | 57.88 грн |
| 500+ | 44.81 грн |
| 1000+ | 38.09 грн |
| 2000+ | 32.29 грн |
| 4000+ | 27.88 грн |
| 8000+ | 27.60 грн |
| 12000+ | 27.32 грн |
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7389TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF7313TRPBF Код товару: 23579
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 239 шт
- 173 шт - склад
- 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23.00 грн |
| 10+ | 20.70 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
| ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML) Код товару: 110161
14
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: AG TermoPasty
Хімія > Захисні покриття
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50 мл
Хімія > Захисні покриття
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50 мл
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 15.07.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 160.00 грн |
| 10+ | 144.00 грн |
| 330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2933
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 849 шт
- 415 шт - склад
- 105 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 135 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 94 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
- 2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2617
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 400 В
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°С
Габарити: 30x50 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 400 В
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°С
Габарити: 30x50 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 57 шт
- 44 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 145.00 грн |
| 10+ | 133.00 грн |
| 100+ | 122.00 грн |
| 6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2461
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 6800 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x32 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 6800 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x32 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 219 шт
- 200 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2 шт
- 2 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 17.00 грн |
| 10+ | 15.20 грн |
| 100+ | 13.70 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |












