Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7389PBF
IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Код товару: 25148
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 142 шт:
80 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+16.00 грн
10+14.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 26.84 грн до 117.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+50.02 грн
285+42.87 грн
301+40.59 грн
500+36.55 грн
1000+31.81 грн
4000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.16 грн
250+48.28 грн
1000+35.71 грн
2000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.68 грн
50+69.16 грн
250+48.28 грн
1000+35.71 грн
2000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+63.99 грн
100+42.68 грн
500+32.79 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.59 грн
10+75.04 грн
100+44.73 грн
500+36.64 грн
1000+32.88 грн
2000+30.83 грн
4000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF Виробник : IR irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.56 грн
10+38.26 грн
100+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
Додати до обраних Обраний товар

irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 23748 шт
22503 шт - склад
287 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AP4525GEH
Код товару: 36912
Додати до обраних Обраний товар

AP4525GEH.pdf
AP4525GEH
Виробник: APEC
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 12 А
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 100 шт
100 шт - склад
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LT1085IT5#PBF
Код товару: 181889
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C12
Код товару: 1357
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.10 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1,5pF 50V NP0 0,25pF 0805 4k/reel (C0805N1R5C500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1287
Додати до обраних Обраний товар

NPO.pdf
1,5pF 50V NP0 0,25pF 0805 4k/reel (C0805N1R5C500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1,5 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±0,25pF C
Типорозмір: 0805
у наявності: 9442 шт
8030 шт - склад
363 шт - РАДІОМАГ-Київ
115 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
500 шт - РАДІОМАГ-Одеса
354 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.50 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.