Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7389PBF
IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Код товару: 25148
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 59 шт:
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+16.00 грн
10+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 19.97 грн до 109.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.52 грн
8000+23.77 грн
12000+22.88 грн
20000+20.53 грн
28000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.74 грн
8000+31.43 грн
12000+31.15 грн
20000+28.74 грн
28000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.75 грн
1000+31.71 грн
2000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.87 грн
8000+33.53 грн
12000+33.25 грн
20000+30.67 грн
28000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+36.01 грн
1000+33.84 грн
2000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+43.39 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.24 грн
10+64.14 грн
100+37.04 грн
500+29.02 грн
1000+26.41 грн
2000+24.49 грн
4000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.96 грн
10+63.61 грн
100+42.26 грн
500+31.04 грн
1000+28.26 грн
2000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.64 грн
50+69.47 грн
250+46.18 грн
1000+30.62 грн
2000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7389-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар

description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 6,5 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 248 шт
178 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
Код товару: 110161
Додати до обраних Обраний товар

ЛАК PVB 60 (PVB60-50ML)
+1
Виробник: AG TermoPasty
Хімія > Захисні покриття
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50мл
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 1008 шт
1008 шт - очікується 10.05.2026
Кількість Ціна
1+160.00 грн
10+144.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2617
Додати до обраних Обраний товар

ELP_080522.pdf
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
+1
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 30х50mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 108 шт
92 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+145.00 грн
10+133.00 грн
100+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2461
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 6800 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х32mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 219 шт
200 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+17.00 грн
10+15.20 грн
100+13.70 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTB12-600CWRG
Код товару: 1984
Додати до обраних Обраний товар

BTA,BTB12.pdf
BTB12-600CWRG
Виробник: ST
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TO-220
Umax,V: 600 V
Iвідкр.,mA: 35 mA
Imax,A: 12 А
у наявності: 6 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.