IRF7342PBF

IRF7342PBF


irf7342pbf.pdf
Код товару: 29394
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності

Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF7342PBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
Виробник : IR irf7342pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 191 шт
157 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF7342PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7342dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF Виробник : International Rectifier irf7342pbf.pdf HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7342-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.