IRF7342PBF
Код товару: 29394
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF7342PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7342TRPBF Код товару: 31772
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Id, А: 3,4 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26 Примітка: 2P Монтаж: SMD |
у наявності: 160 шт
|
|
| IRF7342TRPBF Код товару: 31772
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 160 шт
- 127 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.00 грн |
| 100+ | 24.30 грн |
Інші пропозиції IRF7342PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7342PBF | International Rectifier |
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| IRF7342PBF | International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF7342PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF7342PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7342PBF |
|
Виробник: International Rectifier
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
HEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7342PBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7342PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7342PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
MOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.