Продукція > IR > IRF7342PBF

IRF7342PBF


irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 14 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+39.88 грн
10+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7342PBF IR

Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.

Можливі заміни IRF7342PBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Виробник : IR irf7342pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 85 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 27 грн

Інші пропозиції IRF7342PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7342PBF IRF7342PBF
Код товару: 29394
Виробник : IR irf7342pbf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies 655infineon-irf7342-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a4015355f665.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products 655infineon-irf7342-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a4015355f665.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies 655infineon-irf7342-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a4015355f665.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
IRF7342PBF IRF7342PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN-3166065.pdf MOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
товар відсутній