на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 39.88 грн |
10+ | 33.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7342PBF IR
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Можливі заміни IRF7342PBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7342TRPBF Код товару: 31772 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 55 V Id,A: 3,4 A Rds(on),Om: 0,105 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 85 шт
|
|
Інші пропозиції IRF7342PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7342PBF Код товару: 29394 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 55 V Id,A: 3,4 A Rds(on),Om: 0,105 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||
IRF7342PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товар відсутній |
||
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS |
товар відсутній |