IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 140 шт
- 107 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.00 грн |
| 100+ | 24.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 26.08 грн до 134.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 224000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 224000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 40697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
на замовлення 36126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF | Infineon |
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори |
на замовлення 45 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF |
IRF7342TRPBF Микросхемы |
на замовлення 95 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 30.14 грн |
| 12000+ | 26.08 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 40.75 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 40.75 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 224000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 41.46 грн |
| 12000+ | 37.32 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 224000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 42.02 грн |
| 12000+ | 37.82 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 49.61 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 50.27 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 648+ | 54.51 грн |
| 1000+ | 50.28 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 648+ | 54.51 грн |
| 1000+ | 50.28 грн |
| 10000+ | 44.82 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 90.62 грн |
| 201+ | 70.38 грн |
| 223+ | 63.51 грн |
| 250+ | 60.63 грн |
| 500+ | 45.55 грн |
| 1000+ | 40.01 грн |
| 3000+ | 35.27 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 116.69 грн |
| 10+ | 68.14 грн |
| 100+ | 48.17 грн |
| 250+ | 42.49 грн |
| 500+ | 38.77 грн |
| 1000+ | 35.55 грн |
| 2000+ | 32.68 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.09 грн |
| 10+ | 71.31 грн |
| 50+ | 53.35 грн |
| 100+ | 44.62 грн |
| 500+ | 35.07 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.04 грн |
| 10+ | 90.62 грн |
| 25+ | 70.38 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 250+ | 56.14 грн |
| 500+ | 43.73 грн |
| 1000+ | 40.01 грн |
| 3000+ | 35.27 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 133.15 грн |
| 154+ | 91.68 грн |
| 198+ | 71.31 грн |
| 220+ | 62.10 грн |
| 500+ | 42.95 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 134.24 грн |
| 10+ | 92.42 грн |
| 50+ | 71.90 грн |
| 100+ | 62.61 грн |
| 500+ | 43.30 грн |
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 36126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| IRF7342TRPBF |
![]() |
IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF7341TRPBF Код товару: 25204
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 216 шт
- 121 шт - склад
- 64 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.50 грн |
| 470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 14640
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.55 грн |
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 мкФ
Номінальна напруга: 10 В
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 мкФ
Номінальна напруга: 10 В
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
у наявності: 4317 шт
- 4085 шт - склад
- 111 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 204 шт
- 158 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27.50 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| 100+ | 21.80 грн |
| 22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet) Код товару: 26311
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 26.09.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 19.00 грн |
| 10+ | 17.20 грн |
| 100+ | 15.50 грн |











