Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

irf7342pbf-datasheet.pdf
Код товару: 31772
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності 223 шт:
169 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 21.89 грн до 132.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.79 грн
8000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+45.05 грн
1000+40.35 грн
2000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+48.54 грн
1000+43.46 грн
2000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.13 грн
250+48.99 грн
278+43.93 грн
374+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+54.96 грн
13+47.48 грн
25+45.49 грн
100+39.34 грн
250+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.39 грн
256+47.83 грн
269+45.47 грн
500+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.08 грн
500+45.29 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
506+60.36 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
506+60.36 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.93 грн
10+50.65 грн
38+24.06 грн
103+22.76 грн
4000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.11 грн
10+63.12 грн
38+28.88 грн
103+27.31 грн
4000+26.58 грн
12000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN-1732029.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 30040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.58 грн
10+74.45 грн
100+46.50 грн
500+40.09 грн
1000+36.71 грн
2000+34.80 грн
4000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.13 грн
10+78.63 грн
100+52.74 грн
500+39.08 грн
1000+35.72 грн
2000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.87 грн
10+86.65 грн
100+60.08 грн
500+45.29 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 829 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
15+44.12 грн
16+41.17 грн
100+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+58.10 грн
10+48.56 грн
100+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
на замовлення 80 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 133 шт
14 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Одеса
54 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
Додати до обраних Обраний товар

description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 144 шт
80 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1222
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 11234 шт
6295 шт - склад
659 шт - РАДІОМАГ-Київ
3920 шт - РАДІОМАГ-Львів
360 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
WH-2R (WH-02R, WF-02R, NS25-W2K, WF-2R) (вилка на плату)
Код товару: 1707
Додати до обраних Обраний товар

WH-2R (WH-02R, WF-02R, NS25-W2K, WF-2R) (вилка на плату)
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Вилка на плату із защіпкою, прямий кут, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC
Вилка/гніздо: Вилка (штекер)
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: WH
Монтаж: на плату
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 2990 шт
2990 шт - очікується
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 17877
Додати до обраних Обраний товар

taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 2692 шт
2418 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
67 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Одеса
64 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.50 грн
10+5.40 грн
100+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.