Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

irf7342pbf-datasheet.pdf
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 3,4 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 190 шт
  • 157 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 26.26 грн до 146.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.27 грн
8000+34.45 грн
12000+33.22 грн
20000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.60 грн
500+43.68 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.38 грн
13+62.28 грн
25+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.33 грн
10+58.00 грн
25+51.44 грн
100+43.04 грн
250+38.31 грн
500+35.07 грн
1000+31.49 грн
2000+28.67 грн
4000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 10907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.32 грн
500+35.00 грн
1000+32.03 грн
2000+30.79 грн
4000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 74794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.07 грн
100+59.74 грн
500+44.26 грн
1000+40.46 грн
2000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - MOSFET, 2FACH P-KANAL -55V, -3.4A SOIC-8
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+89.40 грн
100+59.60 грн
500+43.68 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.27 грн
8000+34.45 грн
12000+33.22 грн
20000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF 2333691.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+59.60 грн
500+43.68 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.38 грн
13+62.28 грн
25+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.33 грн
10+58.00 грн
25+51.44 грн
100+43.04 грн
250+38.31 грн
500+35.07 грн
1000+31.49 грн
2000+28.67 грн
4000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 10907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.32 грн
500+35.00 грн
1000+32.03 грн
2000+30.79 грн
4000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 74794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.01 грн
10+89.07 грн
100+59.74 грн
500+44.26 грн
1000+40.46 грн
2000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF 2333691.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - MOSFET, 2FACH P-KANAL -55V, -3.4A SOIC-8
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.14 грн
10+89.40 грн
100+59.60 грн
500+43.68 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 4,7 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 221 шт
  • 173 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 14640
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 pF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 32 шт
  • 15 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.80 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 17877
1 Додати до обраних Обраний товар
taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номінальна напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
УКТЗЕД: 8532210000
у наявності: 3233 шт
  • 2989 шт - склад
  • 111 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.50 грн
10+5.40 грн
100+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Код товару: 26311
Додати до обраних Обраний товар
Datasheet-T491D226K035AT.pdf
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номінальна напруга: 35 V
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532210000
у наявності: 1262 шт
  • 1182 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN74HCT573DW
Код товару: 30081
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hct573
SN74HCT573DW
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SOIC-20
Опис: засувки 3-стан 8-канальний D-типу
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Живлення, V: 4,5...5,5 V
Температура, °C: -40...+85°C
Тип логіч. елемента: D-засувка
у наявності: 33 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+9.50 грн
10+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.