Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

irf7342pbf-datasheet.pdf
Код товару: 31772
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності 215 шт:
159 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 22.55 грн до 126.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.18 грн
8000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+47.86 грн
1000+43.13 грн
2000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+49.22 грн
266+45.65 грн
274+44.44 грн
500+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+49.90 грн
254+47.82 грн
291+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+51.21 грн
1000+46.15 грн
2000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
562+54.07 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
562+54.07 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.93 грн
500+46.03 грн
1000+38.41 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.97 грн
13+53.47 грн
25+51.23 грн
100+43.23 грн
250+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.18 грн
10+62.30 грн
25+54.56 грн
38+24.79 грн
103+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.42 грн
10+77.63 грн
25+65.47 грн
38+29.75 грн
103+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.44 грн
11+82.73 грн
100+58.93 грн
500+46.03 грн
1000+38.41 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN-1732029.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 16858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.92 грн
10+79.50 грн
100+46.08 грн
500+38.43 грн
1000+35.17 грн
2000+33.81 грн
4000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.27 грн
10+77.22 грн
100+51.80 грн
500+38.37 грн
1000+35.08 грн
2000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
на замовлення 80 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 829 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 295 шт
237 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
Додати до обраних Обраний товар

description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 89 шт
30 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1222
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 8592 шт
4083 шт - склад
639 шт - РАДІОМАГ-Київ
3560 шт - РАДІОМАГ-Львів
310 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
WH-2R (WH-02R, WF-02R, NS25-W2K, WF-2R) (вилка на плату)
Код товару: 1707
Додати до обраних Обраний товар

WH-2R (WH-02R, WF-02R, NS25-W2K, WF-2R) (вилка на плату)
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Вилка на плату із защіпкою, прямий кут, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC
Вилка/гніздо: Вилка (штекер)
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: WH
Монтаж: на плату
у наявності: 1750 шт
980 шт - склад
197 шт - РАДІОМАГ-Київ
138 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
165 шт - РАДІОМАГ-Одеса
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 17877
Додати до обраних Обраний товар

taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 2779 шт
2438 шт - склад
168 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
68 шт - РАДІОМАГ-Одеса
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
2+6.50 грн
10+5.40 грн
100+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.