IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності 191 шт:
157 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.00 грн |
| 100+ | 24.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 26.58 грн до 141.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 232000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 232000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel |
на замовлення 5036 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
на замовлення 10907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 31963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - MOSFET, 2FACH P-KANAL -55V, -3.4A SOIC-8tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO |
на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 829 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF |
IRF7342TRPBF Микросхемы |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
IRF7342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF7341TRPBF Код товару: 25204
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 224 шт
175 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.50 грн |
| 470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B471J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 14640
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 92 шт
75 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 4365 шт
4071 шт - склад
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet) Код товару: 26311
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 35 V
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 35 V
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
у наявності: 1412 шт
1356 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 11.90 грн |
| 100+ | 10.70 грн |
| SN74HCT573DW Код товару: 30081
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SOIC-20
Опис: Latches Tri-St Octal D-Type
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...5,5 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: D-Type latch
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SOIC-20
Опис: Latches Tri-St Octal D-Type
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...5,5 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: D-Type latch
у наявності: 33 шт
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.50 грн |
| 10+ | 8.40 грн |









