IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF


irf7342pbf-datasheet.pdf
Код товару: 31772
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності 218 шт:

159 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 22.34 грн до 127.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.87 грн
8000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+46.33 грн
284+42.93 грн
291+41.87 грн
500+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+50.03 грн
253+48.13 грн
291+41.94 грн
384+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
562+54.20 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
562+54.20 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.38 грн
500+45.61 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+59.25 грн
1000+53.51 грн
2000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.12 грн
13+53.60 грн
25+51.57 грн
100+43.33 грн
250+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -55V
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.25 грн
10+61.72 грн
25+54.05 грн
38+24.64 грн
103+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.30 грн
10+76.91 грн
25+64.87 грн
38+29.57 грн
103+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.31 грн
11+81.97 грн
100+58.38 грн
500+45.61 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.10 грн
10+76.51 грн
100+51.32 грн
500+38.02 грн
1000+34.76 грн
2000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN-1732029.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 18270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.92 грн
10+82.39 грн
100+47.76 грн
500+39.80 грн
1000+36.42 грн
2000+35.07 грн
4000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
на замовлення 80 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 829 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 259 шт
240 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 60 шт
60 шт - очікується
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
Додати до обраних Обраний товар

description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 102 шт
40 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1222
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 8782 шт
4223 шт - склад
649 шт - РАДІОМАГ-Київ
3600 шт - РАДІОМАГ-Львів
310 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
WH-2R (WH-02R, WF-02R, NS25-W2K, WF-2R) (вилка на плату)
Код товару: 1707
Додати до обраних Обраний товар

WH-2R (WH-02R, WF-02R, NS25-W2K, WF-2R) (вилка на плату)
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Вилка на плату із защіпкою, прямий кут, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC
Вилка/гніздо: Вилка (штекер)
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: WH
Монтаж: на плату
у наявності: 1960 шт
1180 шт - склад
197 шт - РАДІОМАГ-Київ
138 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
165 шт - РАДІОМАГ-Одеса
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 17877
Додати до обраних Обраний товар

taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3301 шт
2958 шт - склад
168 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
68 шт - РАДІОМАГ-Одеса
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
2+6.50 грн
10+5.40 грн
100+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.